Development of amorphous carbon semiconductor with selective optical gap and its application to electronic devices for photon to electron conversion

选择性光学间隙非晶碳半导体的研制及其在光子电子转换电子器件中的应用

• 批准号: 26289089
• 负责人: Honda Kensuke
• 金额: $ 10.65万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289089/
• 关键词: アモルファスカーボン; 可変バンドギャップ; 半導体材料; 太陽電池; プラズマCVD; 電気・電子材料; 可変バンドギャップ半導体

项目成果

Amorphous Carbon Semiconductor Capable of Controlling Its Optical Gap and Conductivity by Incorporating Two Types of Foreign Atoms

非晶碳半导体能够通过掺入两种类型的外来原子来控制其光学间隙和电导率

• 发表时间: 2015
• 作者: Kensuke Honda; Yoshiya Nagata; Masahiro Yamada; Yohsuke Shimai
• 通讯作者: Yohsuke Shimai

プラズマ表面処理による骨髄細胞（BMC）の付着性の高い界面の創製

通过等离子体表面处理为骨髓细胞（BMC）创建高粘合界面

• 发表时间: 2016
• 作者: 渡辺 紘太朗・本多 謙介・島井 庸佑

プラズマCVD 法による長波長応答型n 型a-C 半導体の創製

利用等离子体CVD法制备长波长响应n型A-C半导体

• 发表时间: 2015
• 作者: 長谷川翔平・本多謙介・永田祥也・山田昌央

アモルファスカーボンの製造方法及びアモルファスカーボン

无定形碳的制造方法及无定形碳

• 发表时间: 2016

超微細くし形ホウ素ドープDLC電極による酸素発生電位を超える標準電極電位を持つ酸化還元種の高感度検出

使用超细梳状硼掺杂 DLC 电极对标准电极电位超过析氧电位的氧化还原物质进行高灵敏度检测

• 发表时间: 2017
• 作者: 大友 慎平; 楢木野 宏; 岡藤 圭吾; 本多 謙介
• 通讯作者: 本多 謙介