Development of defect-controlled hetero-junction contact with amorphous silicon insertion
开发非晶硅插入的缺陷控制异质结接触
基本信息
- 批准号：25870466
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis
通过 EBSD 图案分析估计磷注入 4H-SiC 层的激活
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroaki Hanafusa; Keisuke Maruyama; Shohei Hayashi;Seiichiro Higashi
- 通讯作者：Seiichiro Higashi
Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by Electron-Back-Scattering Diffraction Pattern Analysis
通过电子背散射衍射图分析估算磷注入 4H-SiC 层再结晶
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.391
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroaki Hanafusa; Keisuke Maruyama; Shohei Hayashi;Seiichiro Higashi
- 通讯作者：Seiichiro Higashi
EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価
使用 EBSD 图案清晰度评估磷注入 4H-SiC 层的结晶度
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：花房宏明;丸山佳祐;林 将平;東清一朗
- 通讯作者：東清一朗
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
HANAFUSA HIROAKI其他文献
HANAFUSA HIROAKI的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('HANAFUSA HIROAKI', 18)}}的其他基金
Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
利用硅帽退火控制 SiC 表面和无硅化物接触的研究
- 批准号：
20K05328 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
利用硅帽退火控制 SiC 表面和无硅化物接触的研究
- 批准号：
20K05328 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping
湿化学激光掺杂过程中 SiC 表面的原位温度测量和杂质分布控制
- 批准号：
17K06387 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of vertical AlGaN high power FET on Si substrate using spontaneous via holes
使用自发通孔在硅衬底上开发垂直 AlGaN 高功率 FET
- 批准号：
16H04357 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新しいナノスケール電子科学の創出と次世代デバイスの設計指針の獲得
创建新的纳米级电子科学并获取下一代设备的设计指南
- 批准号：
09J01612 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Surface activated bonding of GaN and its application for optical devices
GaN表面活化键合及其在光学器件中的应用
- 批准号：
17360155 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)