Realization of quantum well structure in bulk thermoelectric semiconductor by control of the formation of stacking fault in SiC

通过控制SiC中堆垛层错的形成实现体热电半导体中的量子阱结构

• 批准号: 24686078
• 负责人: HARADA Shunta
• 金额: $ 16.64万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24686078/
• 关键词: 格子欠陥; 量子井戸構造; 熱電変換; シリコンカーバイト; 熱電変換材料; 積層欠陥; 量子井戸; 量子細線; 部分転位分解; 低次元電気伝導

项目成果

SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察

基于与生长表面相互作用的SiC溶液生长过程中穿透位错转变现象的思考

• 发表时间: 2014
• 作者: 原田俊太; 肖世玉; 村山健太; 青柳健大; 酒井武信; 田川美穂; 宇治原徹
• 通讯作者: 宇治原徹

Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth

消除 SiC 晶体中位错的可能性：通过溶液生长转化穿透刃型位错

• 发表时间: 2012
• 作者: 原田俊太

Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC

SiC固溶生长中表面形貌与螺纹位错转换的相关性

• 发表时间: 2014
• 作者: S. Harada S.Y. Xiao; N. Hara; D. Koike; T. Mutoh; M. Tagawa; T. Ujihara
• 通讯作者: T. Ujihara

Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method

溶液法生长的高质量 4H-SiC 中的缺陷演变

• 发表时间: 2014
• 作者: S. Harada; M. Tagawa; T. Ujihara
• 通讯作者: T. Ujihara

Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals

高品质晶体 SiC 溶液生长过程中的位错转换

• 发表时间: 2015
• 作者: Shunta Harada; Yuji Yamamoto; Shiyu Xiao; Daiki Koike; Takuya Mutoh; Kenta Murayama; Kenta Aoyagi; Takenobu Sakai; Miho Tagawa;Toru Ujihara
• 通讯作者: Toru Ujihara