Theoretical study on Intrinsic Josephson Junction Quantum Metamaterial for novel optical devices

新型光学器件本征约瑟夫森结量子超材料的理论研究

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Vortex magnetic response of quantum Metamaterial with superconducting qubits
具有超导量子位的量子超材料的涡旋磁响应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Asai;S. Kawabata;S. Savel'ev;A. Zagoskin
  • 通讯作者：
    A. Zagoskin
Two-dimensional macroscopic quantum tunneling in multi-gap superconductor Josephson junctions
多间隙超导体约瑟夫森结中的二维宏观量子隧道效应
  • DOI：
    10.1088/1742-6596/568/2/022006
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Journal of Physics: Conference Series
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hidehiro Asai;Shiro Kawabata;Yukihiro Ota;and Masahiko Machida
  • 通讯作者：
    and Masahiko Machida
Effects of lasing in a one-dimensional quantum metamaterial
  • DOI：
    10.1103/physrevb.91.134513
  • 发表时间：
    2014-12
  • 期刊：
    Physical Review B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    H. Asai;S. Savel’ev;S. Kawabata;A. Zagoskin
  • 通讯作者：
    H. Asai;S. Savel’ev;S. Kawabata;A. Zagoskin
Circularly Polarized Terahertz Wave Generated by Inhomogeneous Intrinsic Josephson Junctions
非均匀本征约瑟夫森结产生的圆偏振太赫兹波
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Asai;S. Savel’ev;S. Kawabata;and A. Zagoskin;H.Asai and S. Kawabata
  • 通讯作者：
    H.Asai and S. Kawabata
The Oxford Handbook of SMALL SUPERCONDUCTORS
牛津小型超导体手册
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Asai;S. Kawabata;S. Savel’ev;and A. Zagoskin;A. V. Narlikar
  • 通讯作者：
    A. V. Narlikar
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Development of integrated device simulator for Silicon Quantum Bit Design
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hidehiro Asai;Shota Iizuka;Tsutomu Ikegami;Junichi Hattori;Koichi Fukuda;Hiroshi Oka;Kimihiko Kato;Hiroyuki Ota;Takahiro Mori
  • 通讯作者：
    Takahiro Mori
Inter-band phase fluctuations in macroscopic quantum tunneling of multi-gap superconducting Josephson junctions
多间隙超导约瑟夫森结宏观量子隧道中的带间相位涨落
  • DOI：
    10.1016/j.physc.2014.02.008
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Physica C
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Hidehiro Asai;Yukihiro Ota;Shiro Kawabata;and Franco Nori
  • 通讯作者：
    and Franco Nori
Improvement of Device and Circuit Performance of Si-based Tunnel Field-Effect Transistors by Utilizing Isoelectronic Trap Technology
利用等电子陷阱技术提高硅基隧道场效应晶体管器件和电路性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahiro Mori;Hidehiro Asai;Takashi Matsukawa
  • 通讯作者：
    Takashi Matsukawa
Development of Simulation System for Semiconductor Qubit Design based on Technology Computer Aided Design
基于计算机辅助设计技术的半导体量子位设计仿真系统开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hidehiro Asai;Shota Iizuka;Junichi Hattori;Koichi Fukuda;and Takahiro Mori
  • 通讯作者：
    and Takahiro Mori
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hidehiro Asai;Yukihiro Ota;Shiro Kawabata;Masahiko Machida;and Franco Nori;高橋基樹・長谷川将士
  • 通讯作者：
    高橋基樹・長谷川将士

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  • 通讯作者：
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