Nanoscopic studies on the mechanism of the ferromagnetism in GaMnAs

GaMnAs铁磁性机理的纳米研究

基本信息

批准号：
26790039
负责人：
kaku shigeru
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Study of spin properties on GaMnAs(110) surface by STM/SP-STM

STM/SP-STM研究GaMnAs(110)表面自旋特性

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kaku;T. Ando;K. Imamiya;and J. Yoshino
通讯作者：
and J. Yoshino

X-STM measurements of band bending across GaAs/AlAs heterojunction

GaAs/AlAs 异质结能带弯曲的 X-STM 测量

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kaku;M. Tsukui;T. Ando;and J. Yoshino
通讯作者：
and J. Yoshino

Scanning mode manipulation of Ga adatom on GaAs(110) surface

GaAs(110)表面Ga吸附原子的扫描模式操控

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kaku;K. Imamiya;T. Ando;J. Yoshino
通讯作者：
J. Yoshino

Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness

GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013)
影响因子：
0
作者：
Daiki Nozaki;Shigeru Kaku;and Junji Yoshino
通讯作者：
and Junji Yoshino

STM/STS measurements of local electronic states on Mn impurities on GaAs(110) surface/subsurface

GaAs(110) 表面/次表面上 Mn 杂质的局部电子态的 STM/STS 测量

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kaku;M. Tsukui;M. Hiraoka;J. Yoshino
通讯作者：
J. Yoshino

DOI：
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作者：
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kaku shigeru其他文献

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