原子オーダリングによるブリュアン端バンド構造制御機構

原子排序的布里渊边带结构控制机制

基本信息

批准号：
08750017
负责人：
喜多隆
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

非平衡のエピタキシャル成長過程では成長表面での原子配列オーダリングによって長距離秩序構造(Long-Range Ordering)が発現することが知られている。長距離秩序にともないバンド構造はもはやバルクのものとは全く異なり、この新しいバンド構造はk空間全体にわたって変化する。本研究では、GaAs(001)基板上にOMVPE法を用いて基板温度、V/III族ガス供給比を変えて成長した(Al_xGa_<1-x>)_<0.5>In_<0.5>P混晶半導体を用いた。これらの自然超格子は成長条件によりオーダーパラメターが異なっているのが特徴である。すなわち原子オーダリングによって連続的に変化する物理量について下記の項目に主点をおいた系統的な一連の研究を行った。(1)理論計算による自然超格子によるバンド折り返しのとバンド間相互作用(2)ブリュアン端でのバンド折り返しとオーダーパラメターによる制御以上の研究の結果、(a)Tight-Binding法による理論計算を詳細に行い、自然超格子方向以外の3つのL点とX点がブリュアン端で縮退し、バンド間相互作用をしていることがわかった。(b)1eV-6eVの偏光エレクトロリフレクタンス測定を行い、ブリュアン端でのバンド間相互作用について詳細に調べ、遷移強度の秩序パラメター依存性からオーダリングに伴う電子状態の局在を突き止めた。このようにバンドの折り返しとバンド間相互作用に伴うバンド構造制御機構について明らかにできた。

众所周知，在非平衡性外延生长过程中，通过在生长表面的原子排序表达了远距离排序。凭借远程顺序，频带结构与散装结构不再完全不同，并且这种新的频带结构在整个K空间中发生了变化。在这项研究中，使用OMVPE方法在GAAS（001）底物上生长的混合晶体半导体（al_xga_ <1-x>）_ <0.5> in_ <0.5> p，以改变底物温度和V/III气体供应率。这些天然超级晶格的特征是它们的顺序参数根据生长条件而变化。换句话说，进行了一系列系统研究，主要点放置在以下项目中，以进行由于原子订购而不断变化的物理量。（1）使用理论计算和带相互作用（2）与Bruin端的频带折叠（2）使用有序参数折叠的带折叠（2）由于超过1）使用有序的参数折叠，并使用紧密的方法进行了理论计算，并发现研究人员进行了详细的计算，并发现三个L和X点除了自然超级超级超级超级超级超级超级互动，并在brilluine Enterement interction interction interction和Brilluine Entercation中。（b）进行了1EV-6EV的极化电控测量值，以详细研究布里鲁因端的带相互作用，并根据过渡强度的顺序参数依赖性确定了与订购相关的电子状态的定位。因此，已经阐明了与带折叠和带相互作用相关的带结构控制机制。