Development of high-gain, polarization-insensitive closely-stacked quantum dot optical amplifiers
高增益、偏振不敏感的紧密堆叠量子点光学放大器的开发
基本信息
- 批准号：24360121
- 负责人：
- 金额：$ 12.06万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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专利数量（0）
Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
氮δ掺杂GaAs上InAs量子点的光致发光特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kaizu;T. Kita
- 通讯作者：T. Kita
Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
GaAs 中的外延二维氮原子片
- DOI：10.1063/1.4863442
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Harada; M. Yamamoto; T. Baba;T. Kita
- 通讯作者：T. Kita
Enhancement of Optical Anisotropy by Interconnection Effect along Growth Direction in Multistacked Dots
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- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：H. Tanaka; O. Kojima; T. Kita;K. Akahane
- 通讯作者：K. Akahane
Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices
红外光学器件自组装量子点的带内载流子动力学
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Harada; T. Maeda; T. Kita
- 通讯作者：T. Kita
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