Breakthrough in the ultra-precison polishing process of diamond substrates as an ulimate device

终极设备金刚石基体超精密抛光工艺取得突破

• 批准号: 24226005
• 负责人: DOI Toshiro
• 金额: $ 137.78万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-05-31 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24226005/
• 关键词: プラズマ融合CMP; 加工効率; 表面粗さ; 難加工材料; フェムト秒レーザ; CMP; P-CVM; 疑似ラジカル場; 超難加工材料; 疑似ラジカル; 加工レート; 超難加工結晶; 融合加工装置; フェムト秒(Fs)レーザ; SiC, GaN, ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ; 超押し込み実験; TEM; PCVM; SiC, GaN, ダイヤモンド; 超押し込み試験

项目成果

革新的 “Plasma fusion CMP装置”の設計・試作(第9報) －ダイヤモンド単結晶基板の加工特性－

创新型“等离子熔融CMP设备”的设计与原型机（第9次报告）-金刚石单晶基板的加工特性-

• 发表时间: 2015
• 作者: 西澤秀明;大山幸希;土肥俊郎;曾田英雄;金 聖祐;佐野泰久;黒河周平;王 成武
• 通讯作者: 王 成武

Damage-induced increase of removal rate of atmospheric-pressure plasma etching of diamond substrate

损伤引起的金刚石基体常压等离子刻蚀去除率提高

• 发表时间: 2015
• 作者: Y.Sano; K. Shiozawa; T. Doi; S. Kurokawa; H. Aida; K. Oyama; T. Miyashita; H. Sumizawa; K. Yamauchi
• 通讯作者: K. Yamauchi

"KENMA", the Origin of Manufacturing, Planarization CMP and Its Future -A Breakthrough toward High-efficient Machining of Hard-to-machine Innovative Materials -

“KENMA”，制造的起源、平坦化CMP及其未来 -难加工创新材料高效加工的突破 -

• 发表时间: 2014
• 作者: 土肥俊郎

High-speed Etching of Wide-gap Semiconductors Using Atmospheric Pressure Plasma

使用大气压等离子体高速蚀刻宽禁带半导体

• 发表时间: 2014
• 作者: Y. Sano

Removal Rate of Plasma Chemical Vaporization Machining of Intentionally Damaged Surface by Mechanical Action

机械作用故意损伤表面等离子化学气化加工的去除率

• 发表时间: 2014
• 作者: K. Shiozawa; Y. Sano; T. Doi; S. Kurokawa; H. Aida; O. Ohnishi; M. Uneda; Y. Okada;K. Yamauchi
• 通讯作者: K. Yamauchi