光刺激ルミネッセンス現象を利用した多機能光メモリ素子の研究

利用光激发光现象的多功能光存储器件的研究

• 批准号: 08875014
• 负责人: 南戸 秀仁
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Kanazawa Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 1997
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08875014/
• 关键词: 光刺激ルミネッセンス; 光メモリ; 論理演算; 光連想メモリ; 薄膜; II-VI族化合物蛍光体; SrS : Eu,Sm蛍光体; CaS : Eu,Sm蛍光体; 輝尽発光; セラミックス

最終年度の本年は、輝尽発光現象を利用した光メモリ素子用媒体として昨年度見い出したSrS:Eu,Sm、CaS:Eu,SmおよびCa_xSr_<1-x>S:Eu,Sm蛍光体における輝尽発光特性の評価および光メモリ素媒体としてのこれら蛍光体のセラミックスおよび薄膜の最適作製条件を見い出すことを目的とするともに、輝尽発光現象を利用した光メモリによる論理演算素子への応用の検討を行った。その結果、以下のような成果が得られた。(1)SrS:Eu蛍光体が光メモリ素子用媒体として、優れた特性を示すことを明らかにできたとともに、SrS:Eu蛍光体セラミックスの最適作製条件を決定することができた。輝尽発光現象を利用した光メモリ素子媒体を用いて、AND,ORあるいはNORなどの論理演算をはじめとして、18種類の論理演算をおこなうことが可能であることを実証し、実際に試作した光メモリ素子の輝尽発光現象を用いて、それらの演算を実験的に試みることによって、これまでにない新しい光メモリ素子を実現できることを明らかにできた。助成による研究は本年度で一応終了するが、引き続いて、上述した成果をもとに、研究をさらに発展させる予定である。

今年是最后一年，目的是评估SRS的刺激发射特性：EU，SM，CAS：EU，SM和CA_XSR_和CA_XSR_ <1-X> S：EU，EU，SM磷光器，去年被发现，这些媒体是用于使用刺激性和薄膜的最佳制造仪的光学记忆设备的媒体，并找到了ceram和这些薄膜的最佳范围，并将其置于这些速度和薄膜。使用刺激发射现象使用光学存储器设备进行逻辑操作设备。结果，获得了以下结果：（1）很明显，SRS：欧盟磷光表现出极好的特性，作为光学记忆设备的介质，并且可以确定SRS的最佳制造条件：EU磷光陶瓷。我们已经证明，有可能执行18种逻辑操作，包括和或，或或不使用使用刺激性光发射现象的光学记忆装置介质，并且已证明能够实现以前从未通过实验尝试使用这些刺激光发射现象的经验尝试这些操作的新的光学记忆设备，实际上是在实验中尝试了这些操作，这些操作实际上是生产的。基于赠款的研究将于今年完成，但我们计划根据上述结果继续进一步开发研究。

项目成果

南戸秀仁: "各種輝尽性蛍光体のPSL特性とフェーディング" 放射線. (印刷中). (1997)

Hidehito Nanto：“PSL 特性和各种可激发荧光粉的褪色”（正在出版）。

南戸秀仁: "電子トラップ光メモリーの基礎-輝尽発光の物理と光メモリー応用-" 光学. 6月号(印刷中). (1997)

Hidehito Nanto：“电子陷阱光学存储器的基础知识 - 光激发发光和光学存储器应用的物理 -” 6 月号（目前正在印刷）。

H.Nanto et.al.: "Novel Enasakle and Rewritakle Optical Memory Utilizing PSL in Eu and Sm Codoped SrS Phosphor Ceramics" Jpn. J. Appl. Phys.36. 421-423 (1997)

H.Nanto 等人：“在 Eu 和 Sm 共掺杂 SrS 荧光粉陶瓷中利用 PSL 的新型 Enasakle 和 Rewritakle 光学存储器”Jpn。

南戸秀仁: "電子トラップ光メモリーの基礎-輝尽発光の物理-" 光学. 26・7. 348-353 (1997)

南藤秀仁：“电子陷阱光学存储器的基础 - 光激发发光的物理” 26・7（1997）。