Research on development of the growth of III-V nanowires for applications in bottom-up optoelectronic devices

用于自下而上光电器件应用的III-V族纳米线生长研究进展

基本信息

批准号：
23760296
负责人：
TATEBAYASHI Jun
金额：
$ 2.83万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

Objective of this research is to establish the growth technique for compound semiconductor nanowires for applications in lasers, single photon emitters and solar cells. I establish the growth technology to form quantum dot structures embedded in nanowires and processing technology for nanowire-based optoelectronic devices. I characterize the optical and device characteristics of the devices utilizing nanowire-quantum dots. I observe single-photon emission process from high-quality single nanowire-quantum dot by means of auto-correlation measurements. I propose and demonstrate a growth scheme to form highly uniform, multi-stacked quantum dots embedded in nanowires and achieve high quality multi-stacked nanowire-quantum dots up to 200 layer without degradation of the optical properties. In addition, we demonstrate optoelectronic devices including lasers, single photon emitters and solar cells utilizing nanowire-quantum dots.

本研究的目的是建立用于激光器、单光子发射器和太阳能电池的化合物半导体纳米线的生长技术。我建立了形成嵌入纳米线的量子点结构的生长技术以及基于纳米线的光电器件的加工技术。我描述了利用纳米线量子点的器件的光学和器件特性。我通过自相关测量观察了高质量单纳米线量子点的单光子发射过程。我提出并演示了一种生长方案，以形成嵌入纳米线中的高度均匀的多层量子点，并实现高达 200 层的高质量多层纳米线量子点，而不会降低光学性能。此外，我们还展示了利用纳米线量子点的光电器件，包括激光器、单光子发射器和太阳能电池。

项目成果

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专著数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

Formation and optical properties of multi-stack InGaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires by selective metalorganic chemical vapor deposition

选择性金属有机化学气相沉积嵌入 GaAs 纳米线中多层 InGaAs 量子点的形成及其光学性质

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.11.063
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Tatebayashi; Y. Ota; S. Ishida; M. Nishioka; S. Iwamoto;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa

Formation and optical properties of site-controlled InGaAs/GaAs quantum-dot-in-nanowires by selective metalorganic chemical vapor deposition

选择性金属有机化学气相沉积位点控制 InGaAs/GaAs 量子点纳米线的形成及其光学性质

DOI：
10.1143/jjap.51.11pe13
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Tatebayashi; Y. Ota; S. Ishida; M. Nishioka; S. Iwamoto;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa

Formation and optical properties of multi-stack InAs/GaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires grown by selective metalorganic chemical vapor deposition

选择性金属有机化学气相沉积生长的嵌入 GaAs 纳米线中的多层 InAs/GaAs 量子点的形成和光学性质

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Tatebayashi; D. Karunathillake; Y. Ota; S. Ishida; M. Nishioka; Y. Takayama; T. Ishida; H. Fujita; S. Iwamoto;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa

選択MOCVD法GaAsナノワイヤの軸・径方向成長ダイナミクス

选择性 MOCVD GaAs 纳米线的轴向和径向生长动力学