Gate insulator deposition process for GaN-based MOS devices using mist-CVD technique
使用雾气 CVD 技术的 GaN 基 MOS 器件的栅极绝缘体沉积工艺
基本信息
- 批准号：23K03973
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
谷田部 然治其他文献
Cu2O/GaNヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価
Cu2O/GaN 异质结构的电化学形成和光学表征
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
熊崎 祐介;近江 沙也夏;谷田部 然治;佐藤 威友 - 通讯作者：
佐藤 威友
電気化学堆積法によるCu2O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価
电化学沉积法Cu2O/GaN异质结构的形成及表征
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
熊崎 祐介;近江 沙也夏;谷田部 然治;佐藤 威友 - 通讯作者：
佐藤 威友
Effects of humidity on gas heating in atmospheric-pressure streamer discharge
湿度对常压流光放电气体加热的影响
- DOI：
- 发表时间：
2014 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
熊崎 祐介;渡部 晃生;谷田部 然治;佐藤 威友;Atsushi Komuro and Ryo Ono - 通讯作者：
Atsushi Komuro and Ryo Ono
分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
通过光谱电化学方法评估 GaN/电解质界面及其在纳米结构形成中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
熊崎 祐介;渡部 晃生;谷田部 然治;佐藤 威友 - 通讯作者：
佐藤 威友
ミストCVD法により形成したバッファ層上のZnO薄膜の結晶性
雾气CVD法形成缓冲层ZnO薄膜的结晶度
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
田之上 博信;和田 祥平;山下 達也;永岡 昭二;谷田部 然治;中村 有水 - 通讯作者：
中村 有水
谷田部 然治的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御
了解和控制金属（Hf/Zr）/Si半导体表面界面局部结构中硅化物的氧化反应
- 批准号：
21K04882 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
栅绝缘膜转移法二维层状材料界面控制及纳米电子器件应用
- 批准号：
20K04616 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of fluoride based high-k dielectric thin film materials for MIS structure
MIS结构用氟化物高k介电薄膜材料的开发
- 批准号：
20H02188 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method
使用雾气CVD法的氮化物基半导体器件的表面钝化和绝缘栅结构
- 批准号：
19K04473 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of Innovative Gate Insulators Solving Trade-Off Properties by Beads-On-String-Shape Design
开发创新型栅极绝缘体，通过串珠形状设计解决性能权衡问题
- 批准号：
19H02764 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)