Local doping to organic semiconductors

有机半导体的局部掺杂

基本信息

  • 批准号:
    23656011
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Dependence on carrier concentration of carrier mobility and contact resistance of carrier injection from a metal electrode were measured for organic semiconductor single crystals. The carrier concentration was controlled by an electric double-layer transistor (EDLT)structure employing an ionic liquid as an electrolyte. The contact resistance from a gold electrode to the organic semiconductor firstly decreased by increasing the carrier concentration, and then increased by increasing the carrier concentration. The carrier concentration dependence of the contact resistance is inversely proportional to that of carrier mobility. This behavior is well explained by the diffusion-limited thermionic emission model.
对于有机半导体单晶,测量了载流子迁移率对载流子浓度的依赖性以及从金属电极注入载流子的接触电阻。载流子浓度由采用离子液体作为电解质的双电层晶体管(EDLT)结构控制。金电极与有机半导体的接触电阻首先随着载流子浓度的增加而减小,然后随着载流子浓度的增加而增加。接触电阻的载流子浓度依赖性与载流子迁移率成反比。这种行为可以通过扩散限制热电子发射模型得到很好的解释。

项目成果

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Strain-Mediated Phase Control and Electrolyte-Gating of Electron-Doped Manganites
电子掺杂锰氧化物的应变介导相控制和电解质门控
  • DOI:
    10.1002/adma.201102968
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    29.4
  • 作者:
    P.H.Xiang; S.Asanuma; H.Yamada; I.H. Inoue; H.Sato; H.Akoh; A.Sawa; K.Ueno; H.T.Yuan; H.Shimotani; M.Kawasaki; Y.Iwasa
  • 通讯作者:
    Y.Iwasa
EDLT of SWNT: single bundle and thin film
SWNT 的 EDLT:单束和薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hidekazu Shimotani
  • 通讯作者:
    Hidekazu Shimotani
固液界面の強電場を利用したキャリア制御による電子相転移の発現
固液界面强电场载流子控制的电子相变表达
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    下谷秀和
  • 通讯作者:
    下谷秀和
電気二重層トランジスタによる金属・有機界面のキャリア注入機構の解明
使用双电层晶体管阐明金属-有机界面的载流子注入机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    下谷秀和
  • 通讯作者:
    下谷秀和
Electric-field-induced superconductivity at 9.4 K in a layered transition metal disulphide MoS2
层状过渡金属二硫化物 MoS2 在 9.4 K 下的电场诱导超导性
  • DOI:
    10.1063/1.4740268
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kouji Taniguchi; Akiyo Matsumoto; Hidekazu Shimotani; Hidenori Takagi
  • 通讯作者:
    Hidenori Takagi
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