Departure from conductivity control with impurity doping in widegap semiconductors
宽禁带半导体中杂质掺杂偏离电导率控制
基本信息
- 批准号:23H05460
- 负责人:
- 金额:$ 131.46万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-12 至 2028-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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竹内 哲也其他文献
サファイア上AlN テンプレートの表面平坦性の検討
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- DOI:
- 发表时间:
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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赤崎 勇
その場反り測定によるAlInN/GaN多層膜反射鏡の高精度組成制御
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- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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赤﨑 勇
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- DOI:
- 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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天野 浩
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ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
摆脱宽禁带半导体中的杂质掺杂传导控制
- 批准号:
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$ 131.46万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高効率青色面発光レーザによる白色光源
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相似海外基金
完全コヒーレント磁気トンネル接合の科学
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- 批准号:
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