水ガスを用いた原料分子種生成制御反応の解明による高品質酸化インジウム結晶の創出
通过阐明使用水煤气控制原料分子物种生产的反应来制造高质量的氧化铟晶体
基本信息
- 批准号:22K04953
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
富樫 理恵其他文献
ナノコラムプラズモニック結晶を用いた赤色発光増強技術
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
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OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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HVPE法在(001)面β-Ga2O3上同质外延生长
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
野村 一城;後藤 健;佐々木 公平;河原 克明;ティユ クァン トゥ;富樫 理恵;村上 尚;熊谷 義直;東脇 正高;倉又 朗人;山腰 茂伸;Bo Monemar;纐纈 明伯 - 通讯作者:
纐纈 明伯
富樫 理恵的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
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