水ガスを用いた原料分子種生成制御反応の解明による高品質酸化インジウム結晶の創出

通过阐明使用水煤气控制原料分子物种生产的反应来制造高质量的氧化铟晶体

基本信息

  • 批准号:
    22K04953
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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富樫 理恵其他文献

ナノコラムプラズモニック結晶を用いた赤色発光増強技術
使用纳米柱等离子体晶体的红光发射增强技术
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    岸野 克巳
ナノコラムのクラスタ配列化による発光強度増大と偏光制御
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    大音 隆男
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使用氢气氛各向异性热蚀刻(HEATE)方法评估 HVPE-In2O3 生长层的蚀刻特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    富樫 理恵;笠羽 遼;大江 優輝;長井 研太;後藤 健;熊谷 義直;菊池 昭彦
  • 通讯作者:
    菊池 昭彦
OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長
OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    今西 正幸;小林 大也;奥村 加奈子;細川 敬介;宇佐美 茂佳;富樫 理恵;秦 雅彦;森 勇介
  • 通讯作者:
    森 勇介
HVPE法による(001)面β-Ga2O3上ホモエピタキシャル成長
HVPE法在(001)面β-Ga2O3上同质外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    野村 一城;後藤 健;佐々木 公平;河原 克明;ティユ クァン トゥ;富樫 理恵;村上 尚;熊谷 義直;東脇 正高;倉又 朗人;山腰 茂伸;Bo Monemar;纐纈 明伯
  • 通讯作者:
    纐纈 明伯

富樫 理恵的其他文献

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相似海外基金

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研究新源材料物种的形成机制制备高纯氧化镓半导体晶体
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Thermodynamic interactive database for vapor phase epitaxy using internet
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III-V合金薄膜相稳定性的热力学分析
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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