Fabrication and evaluation of unexplored metastable phases using anomalous diffusion

使用反常扩散制备和评估未探索的亚稳态相

基本信息

  • 批准号:
    22K04203
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

本年度は申請書の計画スケジュールに沿って、直方晶AgTe成長条件の確立、埋め込み層の分離、物性評価を実施した。様々な手法にて直方晶AgTe作成に調整し、結晶相同定は電子線回折によっておこなった。結果として、大きく分けて2つの方法で作成に成功した。1つは、Agの微粒子をシードとするもので、Teのスパッタリングにより配向性の高い直方晶AgTe作成を確認できた。2つめはAg:Teを1:1に調整したターゲットによるスパッタリングによるもので、立方晶Ag5Te3が混在するものの、より大量に作成できた。埋め込み層の除去は真空下の熱アニールにより概ね達成した。190℃アニールにより、Teマトリックスが昇華したことを、TEMおよびX線回折測定により確認した。TEMでは埋め込み層であるアモルファスTeが除去され、1つめの手法では、直方晶AgTeの柱状構造が2つめの手法では、表面積の多い凸凹状が観測された。電子線回折では、本温度アニールでは、直方晶AgTeに加えて六方晶Ag5Te3が観測された。これは直方晶AgTeは準安定相であるので、5AgTe->Ag5Te3+2Teと熱分解が生じたためと考えられる。190度近傍が転移温度と考えられるので、物性評価は主に170℃でアニールした素子にて行った。物性評価としては、研究協力者の協力を得て、熱電特性評価を行い、パワーファクタの測定に成功した。また、ホール測定を行い、直方晶AgTeはn型であり、本作成手法によりキャリア濃度は10^15/cm^3程度であることがわかった。直方晶AgTeにおける初めてのキャリアタイプ同定になる。
今年,我们建立了立方晶体的生长条件,将埋藏的层分开,并根据申请表的计划时间表进行了评估。使用各种方法制备了立方酸agte,并通过电子束衍射鉴定出晶体同源。结果,我们能够以两种主要方式创建它。一种是使用细农子颗粒的种子,通过溅射TE,我们能够确认高度定向的立方晶体AGTE的产生。第二个是用Ag:TE调整为1:1的目标的溅射,尽管Cubic AG5TE3是混合的,但可能会产生更大的量。去除埋藏层通常是通过真空下的热退火来实现的。 TEM和X射线衍射测量通过在190°C退火来证实TE矩阵的升华。在TEM中除去了埋入的无定形TE,并在矩形Agte的柱状结构中观察到了第一种方法,这是在第二种方法中观察到的,这是矩形Agte的柱状结构。在电子衍射中,在该温度退火中观察到六边形AG5TE3。这被认为是因为切割Agte是一个可稳定的相,并且在5agte-> ag5te3+2te中发生热解。由于过渡温度被认为约为190°C,因此主要使用在170°C下退火的元素评估了物理特性。至于物理特性,在研究合作者的合作下,评估了热电特性,并成功测量了功率因数。此外,测量了孔,发现通过这种制备方法,立方晶体的Agte为N型,载体浓度约为10^15/cm^3。这是立方agte中的第一个载体类型识别。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Modulated conductive bridge memory characteristics by radio frequency input and non‐volatile switching of frequency multiplication
通过射频输入和倍频非易失性开关调制导电桥存储特性
  • DOI:
    10.1049/ell2.12601
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    Yin Yifei;Uchida Chihiro;Tsukamoto Keito;Hayashi Hitoshi;Nakaoka Toshihiro
  • 通讯作者:
    Nakaoka Toshihiro
Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
基于 Ag-Ge-Sb-Te 的 CBRAM 中射频输入引起的直流电阻变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
Researchmap
研究地图
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
RF入力によるAg-GeTe CBRAMのスイッチ電圧変化
RF 输入导致的 Ag-GeTe CBRAM 开关电压变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
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    中岡 俊裕
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GeSbTe 薄膜中 Ag 的电化学反应 - 从纳米结构形成到应用 -
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