Integration of 2 dimensional tunnel FET for ultra-low power consumption system
集成二维隧道 FET，实现超低功耗系统
基本信息
- 批准号：22H04957
- 负责人：
- 金额：$ 128.04万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-27 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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- 影响因子：0
- 作者：
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長汐 晃輔
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- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
西山 航;上野 啓司;谷口 尚;渡邊 賢司;西村 知紀;長汐 晃輔;長汐晃輔;K. Nagashio,;長汐晃輔， - 通讯作者：
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- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
西山 航;上野 啓司;谷口 尚;渡邊 賢司;西村 知紀;長汐 晃輔;長汐晃輔;K. Nagashio,;長汐晃輔，;K. Nagshio,;長汐晃輔, - 通讯作者：
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Internal Photo-emission 法によるGeO2/Ge 界面における伝導帯バンドオフセットの決定
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- 作者：
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可集成二维隧道FET结构的提出及其超低功耗操作的演示
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