Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method

无毒气体OVPE法高品质氧化镓晶体生长技术

基本信息

  • 批准号：
    21K18910
  • 负责人：
    Imanishi Masayuki
  • 金额：
    $ 4.08万
  • 依托单位：
    Osaka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2021
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
金属酸化物結晶の製造方法、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板の製 造方法、半導体装置の製造方法、金属酸化物結晶、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基 板、半導体装置、及び金属酸化物結晶製造装置
金属氧化物晶体的制造方法、金属氧化物外延晶体层叠基板的制造方法、半导体装置的制造方法、金属氧化物晶体、金属氧化物外延晶体层叠基板、半导体装置以及金属氧化物晶体的制造装置
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長
OVPE 法在蓝宝石和 Ga2O3 衬底上生长 β-Ga2O3 晶体
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    今西 正幸;小林 大也;奥村 加奈子;細川 敬介;宇佐美 茂佳;富樫 理恵;秦 雅彦;森 勇介
  • 通讯作者：
    森 勇介
Ga2O, H2O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討
使用Ga2O和H2O源气体高温高速生长氧化镓的热力学研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    富樫 理恵，鈴木 明香里，石田 遥夏;宇佐美 茂佳,今西 正幸， 秦 雅彦，森 勇介
  • 通讯作者：
    宇佐美 茂佳,今西 正幸， 秦 雅彦，森 勇介
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation
脉冲持续时间对 300 至 1200 fs 激光诱导尿素结晶的影响：空化气泡对晶体成核的影响
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
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  • 通讯作者：
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    内山 昌典，橋口 早紀，佐分利 亘，森 春英
Structure and molecular mechanism of the tripartite drug efflux transporter, AcrB
三联药物外排转运蛋白AcrB的结构和分子机制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森　貴夫;Satoshi Murakami;Takao Arimori;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami
  • 通讯作者：
    Satoshi Murakami
Structure of the tripartite-ABC transporter, MacB
三方 ABC 转运蛋白 MacB 的结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森　貴夫;Satoshi Murakami
  • 通讯作者：
    Satoshi Murakami
HGF-Metシグナル伝達経路におけるHGF活性変換機構の構造基盤
HGF-Met信号通路中HGF活性转导机制的结构基础
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森　貴夫
  • 通讯作者：
    有森　貴夫

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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    2020
  • 资助金额：
    $ 4.08万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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    18K04957
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 4.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

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