Fabrication of novel spintronic devices using the ferromagnet/diamond semiconductor heterostructures
使用铁磁体/金刚石半导体异质结构制造新型自旋电子器件
基本信息
- 批准号：22760250
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this research, we tried fabricating novel spintronic devices using ferromagnets/diamond semiconductors heterostructures and obtained mainly following three results.(1) It is found that ferromagnetic and half-metallic Heusler Co_2MnSi can be epitaxially grown on diamond for the first time.(2) Schottky barrier heights between ferromagnetic metal and diamond semiconductor can be controlled by selecting ferromagnetic metals with proper work function.(3) Signals related to spin injection were observed by 3-probe Hanle measurements using Ni/diamond ferromagnetic heterojunctions(τ=～20ps).
在本研究中，我们尝试利用铁磁体/金刚石半导体异质结构制备新型自旋电子器件，主要取得了以下三个成果：(1)首次发现铁磁半金属Heusler Co_2MnSi可以在金刚石上外延生长。(2 ) 铁磁金属和金刚石半导体之间的肖特基势垒高度可以通过选择具有适当功的铁磁金属来控制(3)利用Ni/金刚石铁磁异质结(τ=～20ps)通过3探针Hanle测量观察到与自旋注入相关的信号。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ferromagnetic Schottky junctions using diamond semiconductors
使用金刚石半导体的铁磁肖特基结
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Ueda; T. Soumiya; T. Tozawa H. Asano
- 通讯作者：T. Tozawa H. Asano
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：真利研一郎; 高橋一成; 藤田裕人; 深谷直人; 宮脇哲也; 植田研二; 浅野秀文
- 通讯作者：浅野秀文
反強磁性ホイスラー合金薄膜の歪み効果と電子構造
反铁磁Heusler合金薄膜的应变效应和电子结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：深谷直人; 植田研二; 藤田裕人; 高橋一成; 竹田陽一; 浅野秀文
- 通讯作者：浅野秀文
Fabrication of MgAl_2O_4 thin films on ferromagnetic Heusler alloy Fe_2CrSi by reactive magnetron sputtering
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- DOI：10.1143/jjap.51.02bm04
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：N.Fukatani; K.Inagaki; K.Mari; H.Fujita; T.Miyawaki; K.Ueda; H.Asano
- 通讯作者：H.Asano
Transport and local magnetic properties in strained Fe_2VSi thin film
应变 Fe_2VSi 薄膜中的输运和局部磁特性
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Fukatani; K. Ueda; H. Asano;K. Mibu
- 通讯作者：K. Mibu
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