Study on initial growth mechanism of InN under high density radial irradiation for high carrier mobility channel

高密度径向辐照下InN高载流子迁移率沟道初始生长机理研究

• 批准号: 18H01890
• 负责人: KONDO HIROKI
• 金额: $ 11.23万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01890/
• 关键词: プラズマ; ラジカル; InGaN; 分子線エピタキシー; プラズマ支援; 高In組成; モザイシティ; 窒化インジウム; その場観察; InN; 高移動度チャネル; in-situ観察

项目成果

Influence of N2/H2 Plasma Irradiation to GaN Substrate for Improving the Interface of the Homoepitaxial GaN Grown by Radical Enhanced MOCVD (REMOCVD)

N2/H2 等离子体辐照对 GaN 衬底对改善自由基增强 MOCVD (REMOCVD) 生长同质外延 GaN 界面的影响

• 发表时间: 2018
• 作者: Amalraj Frank Wilson;Dhasiyan Arun Kumar;Naohiro Shimizu;Osamu Oda;Nobuyuki Ikarashi;Hiroki Kondo;Kenji Ishikawa;and Masaru Hori
• 通讯作者: and Masaru Hori

Influence of chamber pressure on the crystal quality of homo-epitaxial GaN grown by radical-enhanced MOCVD (REMOCVD)

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125863
• 发表时间: 2020-11
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: F. Amalraj;Naohiro Shimizu;O. Oda;K. Ishikawa;M. Hori

プラズマ支援原子層プロセスにおける表界面反応層制御・診断

等离子体辅助原子层工艺表面反应层的控制与诊断

• 发表时间: 2019
• 作者: 第72回日本酸化ストレス学会学術集会 ;北海道立道民活動センター かでる２・７ ;2019/6/27
• 通讯作者: 2019/6/27

In situ Quantitative Analysis of Chlorine Adsorption on Ion-irradiated GaN for Atomic Layer Etching

用于原子层蚀刻的离子辐照 GaN 上氯吸附的原位定量分析

• 发表时间: 2018
• 作者: Masaki Hasegawa;Takayoshi Tsutsumi;Hiroki Kondo;Kenji Ishikawa;Masaru Hori
• 通讯作者: Masaru Hori

Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)

N2/H2 等离子体对自由基增强金属有机化学气相沉积 (REMOCVD) 同质外延 GaN 生长的 GaN 衬底清洗的影响

• DOI: 10.1063/1.5050819
• 发表时间: 2018
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: Amalraj Frank Wilson;Dhasiyan Arun Kumar;Lu Yi;Shimizu Naohiro;Oda Osamu;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Ikarashi Nobuyuki;Hori Masaru
• 通讯作者: Hori Masaru