Investugation of Electro-migration Behavior in Solder Joints

焊点电迁移行为的研究

• 批准号: 22560722
• 负责人: UENISHI Keisuke
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-10-20 至 2013-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560722/
• 关键词: エレクトロマイグレーション; 鉛フリーはんだ; エレクトロニクス実装; 界面反応; 信頼性評価; 微細接合; 拡散係数; 接合信頼性

Electro-migration behavior was investigate for Sn-Ag based and Sn-Bi solder joints. Unlike in homogenious materials such as wiring materials, EM behavior was confirmed to change by the materials compoistion and current charging conditions. Such differences was clarified to be due to changes in critical current and velocity of EM in each element.Based on above obtained knowleges, exsistence of intermetallic compound or Ag barrier layer was investigated to be effective in order to surpress the EM in solder joints.

研究了 Sn-Ag 基焊点和 Sn-Bi 焊点的电迁移行为。与布线材料等均质材料不同，电磁行为被证实会因材料成分和电流充电条件而改变。这种差异被澄清是由于每种元件中电磁场的临界电流和速度的变化造成的。根据上述获得的知识，研究了金属间化合物或银阻挡层的存在对于抑制焊点中的电磁场是有效的。

项目成果

Sn-Ag-Bi-In系はんだのBGA接合信頼性評価

Sn-Ag-Bi-In焊料的BGA键合可靠性评估

• 发表时间: 2013
• 作者: 酒谷茂昭;日根清裕;森将人;古澤彰男;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

Sn-Bi共晶はんだとNi/Au電極との界面反応と強度に及ぼすZn添加の影響

Zn添加对Sn-Bi共晶焊料与Ni/Au电极界面反应及强度的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: 安藤智弥;岡本圭史郎;赤松俊也;作山誠樹;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

Sn-Bi共晶はんだを用いた微細はんだ接合部のエレクトロマイグレーション挙動に及ぼすバリア層の影響

阻挡层对 Sn-Bi 共晶焊料微焊点电迁移行为的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: 酒井徹;八坂健一;赤松俊也;今泉延弘;岡本圭史郎;作山誠樹;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

微細はんだ接合部における金属間化合物層の成長がエレクトロマイグレーション耐性に及ぼす影響

金属间化合物层的生长对微焊点抗电迁移的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: 豊嶋大介;上西啓介;折井靖光
• 通讯作者: 折井靖光

Electromigration Analysis of Peripheral Ultra Fine Pitch C2 Flip Chip Interconnection with Solder Capped Cu Pillar Bump with Solder Capped Cu Pillar Bump

带焊料盖帽铜柱凸块的外围超细间距 C2 倒装芯片互连的电迁移分析

• 发表时间: 2011
• 作者: Yasumitsu Orii