Low-temperature formation and defect control of high-k dielectrics by PA-ALD

PA-ALD 高 k 电介质的低温形成和缺陷控制

• 批准号: 22560307
• 负责人: FUKUDA Yukio
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tokyo University of Science, Suwa
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560307/
• 关键词: 誘電体薄膜; 表面・界面物性; 超薄膜; MOS 構造; プラズマ酸化; 原子層堆積 法; 酸化ハフニウム; 酸化アルミニウム; MOS構造; 原子層堆積; 誘電体物性; MIS構造; プラズマ成膜

In the present research subject, we have investigated the atomic layer depositions of high-k metal oxides on silicon and germanium substrates using microwave-generated atomic oxygen as an oxidant. We have found that silicates and germanates of high-k metals are spontaneously formed on silicon and germanium substrates, respectively, at low temperatures lower than 300℃.

在本研究课题中，我们研究了使用微波产生的原子氧作为氧化剂在硅和锗衬底上的高k金属氧化物的原子层沉积，我们发现高k金属的硅酸盐和锗酸盐自发形成。分别在低于300℃的低温下硅和锗衬底。

项目成果

InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen

用四(二甲氨基)铪和微波产生的原子氧进行原子层沉积在硅衬底上原位形成硅酸铪

• 发表时间: 2013
• 作者: H.Ishizaki;Y.Otani;C.Yamamoto;J.Yamanaka;T.Sato;T.Takamatsu;Y.Fukuda
• 通讯作者: Y.Fukuda

InterfacepropertiesofGeNx/Gefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge的界面特性

• 发表时间: 2011
• 作者: Y.Otani;Y.Fukuda;T.Sato;H.Toyota;H.Okamoto;T.Ono
• 通讯作者: T.Ono

TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge界面的陷阱密度

• DOI: 10.1063/1.3611581
• 发表时间: 2011
• 作者: Y.Fukuda;Y.Otani;H.Toyota;T.Ono
• 通讯作者: T.Ono

Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique

微波远程等离子体辅助原子层沉积技术在Si衬底上形成Al_2O_3薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: H.Ishizaki; M.Iida; Y.Otani; Y.Fukuda; T.Sato; T.Takamatsu; T.Ono
• 通讯作者: T.Ono

マイクロ波生成原子状酸素を酸化剤として落ち板ALD法によるGe基板上へのAlジャーマネイト薄膜の自発的形成

以微波产生的原子氧为氧化剂落板ALD法在Ge基体上自发形成铝锗酸钙薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 梁池昴生