Identification of microscopic origin of interfacial trap statesin organic transistors by field-induced electron spin resonance

通过场致电子自旋共振识别有机晶体管中界面陷阱态的微观起源

• 批准号: 22360012
• 负责人: HASEGAWA Tatsuo
• 金额: $ 12.56万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360012/
• 关键词: 有機; 分子エレクトロニクス; 有機半導体; 電子スピン共鳴; 薄膜トランジスタ; トラップ; 有機エレクトロニクス; キャリア輸送; プリンテッドエレクトロニクス; アンダーソン局在; 有機トランジスタ; 電子輸送; トラップ準位

We developed methods to evaluate and analyze trap density of states, impurity molecular states within microcrystal grains, and barrier potentials atmicrocrystal grain boundaries in polycrystalline films of organic thin-film transistors by means of field-i

我们开发了通过场 i 方法评估和分析有机薄膜晶体管多晶薄膜中的陷阱态密度、微晶粒内的杂质分子态以及微晶粒边界的势垒电位。

项目成果

有機半導体界面における浅い局在状態密度分布のスペクトル解析

有机半导体界面浅局域态密度分布的谱分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 長谷川達生

電子スピン共鳴による局在状態密度の観測(依頼講演)

电子自旋共振观测局域态密度（特邀报告）

• 发表时间: 2013
• 作者: 長谷川達生

電子スピンをプローブとする有機半導体薄膜の電荷輸送

使用电子自旋作为探针的有机半导体薄膜中的电荷传输

• 发表时间: 2012
• 作者: 長谷川達生;松井弘之
• 通讯作者: 松井弘之

ESR法でみる多結晶OTFTの結晶粒界ホッピングと実効移動度の相関

使用ESR方法观察多晶OTFT晶界跳跃与有效迁移率的相关性

• 发表时间: 2012
• 作者: 松井弘之;熊木大介;高橋永次;井川光弘;尾坂格;阿部達;瀧宮和男;時任静士;長谷川達生
• 通讯作者: 長谷川達生

有機薄膜トランジスタにおける微結晶内-微結晶間キャリヤダイナミクスの分離II

有机薄膜晶体管微晶内部和之间的载流子动力学分离 II

• 发表时间: 2011
• 作者: 松井弘之;熊木大介;高橋永次;瀧宮和男;時任静士;長谷川達生
• 通讯作者: 長谷川達生