Development of high-efficiency Cu(InGa)Se2 thin-film solar cells fabricated by a nanoparticles based process

开发基于纳米颗粒的工艺制造的高效 Cu(InGa)Se2 薄膜太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    22360006
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In the research work, the fabrication process for Cu(InGa)Se2 (CIGS) solar cells has been developed by using a non-vacuum process, aiming at a realization of low-cost fabrication process for CIGS solar cells. In the process, nanoparticles were chemically synthesized, and then they were spray-printed/sintered to produce CIGS thin films. It was found that the Cu-In-Ga-Se nanoparticles caused small grain size and low crystallinity, resulting in low-efficiency solar cells. The crystallization velocity was increased and the large grain size was obtained when the Cu-Se and In-Se nanoparticles were used as the starting materials. Furthermore, a new approach for the quality improvement of CIS film has been developed, that is, thiourea has been applied as a binding agent and a sintering additive for the fabrication of high-quality CIS film. The fabricated CIS film exhibited a denser and larger-grain-size layer compared with the CIGS film fabricated using Cu-In-Ga-Se nanoparticles. Finally,a CIS solar cell with an efficiency of 3.5% has been successfully fabricated.
在研究工作中,采用非真空工艺开发了Cu(InGa)Se2(CIGS)太阳能电池的制造工艺,旨在实现CIGS太阳能电池的低成本制造工艺。在此过程中,纳米颗粒被化学合成,然后通过喷射印刷/烧结来生产CIGS薄膜。研究发现,Cu-In-Ga-Se纳米颗粒导致晶粒尺寸小、结晶度低,导致太阳能电池效率低。以Cu-Se和In-Se纳米颗粒为起始材料时,结晶速度加快,晶粒尺寸增大。此外,还开发了一种提高CIS薄膜质量的新方法,即使用硫脲作为粘合剂和烧结添加剂来制造高质量的CIS薄膜。与使用 Cu-In-Ga-Se 纳米颗粒制造的 CIGS 薄膜相比,制造的 CIS 薄膜表现出更致密和更大的晶粒尺寸。最终成功制作出效率为3.5%的CIS太阳能电池。

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Improvement of Film Quality in CuInSe2 Thin Films Fabricated by a Non-Vacuum
非真空制备 CuInSe2 薄膜薄膜质量的提高
  • DOI:
    10.1143/jjap.50.04dp12
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Zhang; M. Ito; T. Tamura; A. Yamada;M. Konagai
  • 通讯作者:
    M. Konagai
Improvement of Film Quality in CIS Thin Films Fabricated by Non-vacuum
非真空制备 CIS 薄膜薄膜质量的提高
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Zhang; M. Ito; A. Yamada;M. Konagai
  • 通讯作者:
    M. Konagai
化合物半導体薄膜太陽電池及びその製造方法
化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
山田研ホームページ
山田实验室主页
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    YAMADA Akira
  • 通讯作者:
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    $ 12.65万
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    $ 12.65万
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