Development of Orbital Magnetic Quantum Number Measurement Method and Application to the Investigation of Low-dimensional Electronic Properties

轨道磁量子数测量方法的发展及其在低维电子特性研究中的应用

基本信息

  • 批准号:
    17H02911
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fermi level tuning of Ag-doped Bi2Se3 topological insulator
  • DOI:
    10.1038/s41598-019-41906-7
  • 发表时间:
    2019-03-29
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Uesugi, Eri;Uchiyama, Takaki;Kubozono, Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Kubozono, Yoshihiro
Paul Scherrer Institut/Universitity Zurich(スイス)
保罗谢勒研究所/苏黎世大学(瑞士)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
3D Local Structure and Functionality Design of Materials
材料的 3D 局部结构和功能设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroshi Daimon;Yuji C. Sasaki;第二章分担執筆
  • 通讯作者:
    第二章分担執筆
Photoelectron Diffraction Spectroscopy: Site-specific Atomic Orbital Characterization
光电子衍射光谱:位点特定原子轨道表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fumihiko Matsui;Tomohiro Matsushita;Matthias Muntwiler
  • 通讯作者:
    Matthias Muntwiler
静電偏向収束型エネルギー分析器、結像型電子分光装置、反射結像型電子分光装置、およびスピンベクトル分布イメージング装置
静电偏转聚焦能量分析仪、成像电子能谱仪、反射成像电子能谱仪、自旋矢量分布成像装置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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Matsui Fumihiko其他文献

Separation of Surface- and Bulk-specific Ti L-edge XANES Spectra of Rutile (110) Surface
金红石 (110) 表面表面和本体特定 Ti L 边缘 XANES 光谱的分离
Parallel and antiparallel angular momentum transfer of circularly polarized light to photoelectrons and Auger electrons at the Ni L3 absorption threshold
Ni L3 吸收阈值下圆偏振光到光电子和俄歇电子的平行和反平行角动量转移
  • DOI:
    10.1103/physrevb.97.035424
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Matsui Fumihiko;Ota Hiroshi;Sugita Kenji;Muntwiler Matthias;Stania Roland;Greber Thomas
  • 通讯作者:
    Greber Thomas
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  • DOI:
    10.1380/ejssnt.2021.42
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.7
  • 作者:
    Makita Seiji;Matsuda Hiroyuki;Okano Yasuaki;Yano Takayuki;Nakamura Eiken;Hasegawa Yuri;Kera Satoshi;Suga Shigemasa;Matsui Fumihiko
  • 通讯作者:
    Matsui Fumihiko
Local structural determination of N at SiO2/SiC (0001) interfaces by photoelectron diffraction
通过光电子衍射测定 SiO2/SiC (0001) 界面 N 的局部结构
  • DOI:
    10.1063/1.4997080
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Mori Daisuke;Oyama Yoshiki;Hirose Takayuki;Muro Takayuki;Matsui Fumihiko
  • 通讯作者:
    Matsui Fumihiko

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  • 通讯作者:
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