Growth of high-quality thin films of the novel ZnAs-based magnetic semiconductors and improving the properties

新型ZnAs基磁性半导体的高质量薄膜的生长和性能的改善

基本信息

  • 批准号：
    17H02921
  • 负责人：
    Ikuta Hiroshi
  • 金额：
    $ 12.4万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
磁性半導体候補物質(Ba,K)(Zn,Mn)2P2 における磁気及び輸送特性
磁性半导体候选材料(Ba,K)(Zn,Mn)2P2的磁性和输运特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    廣瀬 翔一;伊藤 巧;浦田 隆広;畑野 敬史;飯田 和昌;生田 博志
  • 通讯作者：
    生田 博志
六方晶ニクトゲン化合物CaMn2Bi2の特異な磁気抵抗効果と不純物置換効果
六方晶系化合物CaMn2Bi2独特的磁阻效应和杂质替代效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    小西一貴;Ian Friel;J. Isberg;中暢子;石川直弥,浦田隆広,川口直樹,畑野敬史,飯田和昌,岡田達典,生田博志
  • 通讯作者：
    石川直弥,浦田隆広,川口直樹,畑野敬史,飯田和昌,岡田達典,生田博志
磁性半導体候補物質(Ba,X)(Zn,Mn)2P2 (X = K, La)の磁気及び輸送特性
磁性半导体候选材料(Ba,X)(Zn,Mn)2P2 (X = K, La)的磁性和输运特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    廣瀬翔一;伊藤巧;浦田隆広;畑野敬史;飯田和昌;生田博志
  • 通讯作者：
    生田博志
反強磁性体CaMn2Bi2における強磁場輸送特性と元素置換効果
反铁磁体CaMn2Bi2的强磁场输运特性及元素替代效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浦田隆広;石川直哉;畑野敬史;飯田和昌;岡田達典;木田孝則;萩原政幸;生田博志
  • 通讯作者：
    生田博志
歪んだハニカム格子を有す反強磁性体CaMn2Bi2における交流磁化率
具有扭曲蜂窝晶格的反铁磁体 CaMn2Bi2 的交流磁化率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浦田隆広,石川直哉,畑野敬史,飯田和昌,生田博志
  • 通讯作者：
    浦田隆広,石川直哉,畑野敬史,飯田和昌,生田博志
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Ikuta Hiroshi其他文献

Nanoscale Texture and Microstructure in a NdFeAs(O,F)/IBAD-MgO Superconducting Thin Film with Superior Critical Current Properties
具有优异临界电流性能的 NdFeAs(O,F)/IBAD-MgO 超导薄膜的纳米级织构和微观结构
  • DOI：
    10.1021/acsaelm.1c00364
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    ACS Applied Electronic Materials
  • 影响因子：
    4.7
  • 作者：
    Guo Zimeng;Gao Hongye;Kondo Keisuke;Hatano Takafumi;Iida Kazumasa;H?nisch Jens;Ikuta Hiroshi;Hata Satoshi
  • 通讯作者：
    Hata Satoshi
Novel method to study strain effect of thin films using a piezoelectric-based device and a flexible metallic substrate
使用压电器件和柔性金属基板研究薄膜应变效应的新方法
  • DOI：
    10.7567/1882-0786/aaf6e6
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Iida Kazumasa;Sugimoto Yuwa;Hatano Takafumi;Urata Takahiro;Langer Marco;Holzapfel Bernhard;Haenisch Jens;Ikuta Hiroshi
  • 通讯作者：
    Ikuta Hiroshi
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重欠掺杂氧化铜超导体(Bi,Pb) 2 Sr 2 (Ca,Y)Cu 2 O 8+δ 的超导能隙

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