Coherent control of electron-phonon coupled quantum system using interferometric transient reflectivity measurement

使用干涉瞬态反射率测量对电子声子耦合量子系统进行相干控制

基本信息

  • 批准号:
    17H02797
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.82万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
超短パルス光を用い固体中の量子経路干渉を観測
使用超短脉冲光观察固体中的量子路径干涉
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
GaAs中の光学フォノンの二次元コヒーレント分光
GaAs 中光学声子的二维相干光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    笹瀬悠斗;南不二雄;中村一隆
  • 通讯作者:
    中村一隆
Coherent control of electron-phonon coupled states in a GaAs crystal using phase-locked femtosecond pulses
使用锁相飞秒脉冲对 GaAs 晶体中的电子-声子耦合态进行相干控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. G. Nakamura;R. Kase;Y. Okuda;T. Kitashima;Y. Mishima;F. Minami;Y. Kayanma;and Y. Shikano
  • 通讯作者:
    and Y. Shikano
Coherent control of electron-phonon coupled states in GaAs using relative phase-locked femtosecond pulses
使用相对锁相飞秒脉冲对 GaAs 中电子-声子耦合态的相干控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    萱沼洋輔;北島誉士;松本啓;中村一隆;松野 丈夫;藤田克昌;K. G. Nakamura
  • 通讯作者:
    K. G. Nakamura
GaAs/AlGaAs量子井戸中の励起子コヒーレント過渡課程
GaAs/AlGaAs量子阱中激子相干瞬态过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    古庄裕也;笹瀬悠斗;南不二雄;中村一隆
  • 通讯作者:
    中村一隆
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  • 通讯作者:
    Tanaka Atsushi

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