High-pressure synthesis of high performance Mg2Si thermoelectric material
高压合成高性能Mg2Si热电材料
基本信息
- 批准号：17K06847
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Development of Thermoelectric Measurement at High-temperature and High-pressure using Six-axis Multi-Anvil Press
利用六轴多砧压力机开发高温高压热电测量
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Nakano;Y. Mori;T. Yoshino
- 通讯作者：T. Yoshino
Development of thermoelectric materials using high-pressure synthesis technique
- DOI：10.7567/jjap.56.05fa09
- 发表时间：2017-04
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：C. Sekine;Y. Mori
- 通讯作者：C. Sekine;Y. Mori
Solid-phase reaction of Mg2Si under pressure
Mg2Si在压力下的固相反应
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Mori;N. Tamannoi;N. Sugimoto;T. Yoshino
- 通讯作者：T. Yoshino
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Mori Yoshihisa其他文献
Mori Yoshihisa的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Mori Yoshihisa', 18)}}的其他基金
Development of thermoelectric module of the silicide materials synthesized under pressure
加压合成硅化物材料热电模块的研制
- 批准号：
20K04336 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Enhancement of thermoelectric performance in superlattice film with Dirac electron system using electron-phonon interaction
利用电子-声子相互作用增强狄拉克电子系统超晶格薄膜的热电性能
- 批准号：
21K14536 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
High-pressure synthesis of silicide thermoelectric material
硅化物热电材料的高压合成
- 批准号：
23560848 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
鉄シリサイド半導体での磁性誘起と発現機構の解明
硅化铁半导体磁感应及表达机制的阐明
- 批准号：
15760010 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)