A new fabrication technique of AlN/sapphire template

AlN/蓝宝石模板制作新工艺

基本信息

  • 批准号:
    17K06795
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Institute of High Pressure Physics(ポーランド)
高压物理研究所(波兰)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Institute of High Pressure Physics, PAS(ポーランド)
PAS高压物理研究所(波兰)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
未来材料開拓に向けた相界面制御
用于开发未来材料的相界面控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Yamashita;T. Suzuki;S. Fujimori;T. Irisawa;Y. Tanabe;中村裕之;寒川義裕
  • 通讯作者:
    寒川義裕
吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響
吸附原子扩散距离对表面形貌的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    稲富悠也;寒川義裕
  • 通讯作者:
    寒川義裕
Fraunhofer IISB(Germany)
弗劳恩霍夫IISB(德国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Kangawa Yoshihiro其他文献

Bandgap Change in Short‐Period InN/AlN Superlattices Induced by Lattice Strain
晶格应变引起的短周期 InN/AlN 超晶格的带隙变化
  • DOI:
    10.1002/pssb.202200549
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawamura Takahiro;Basaki Kouhei;Korei Akito;Akiyama Toru;Kangawa Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Kangawa Yoshihiro
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth conditions
金属有机气相外延生长条件下半极性GaN和AlN的热力学分析
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab040a
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Seta Yuki;Pradipto Abdul Muizz;Akiyama Toru;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;Kusaba Akira;Kangawa Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Kangawa Yoshihiro
Oxygen Incorporation Kinetics in Vicinal m (10-10) Gallium Nitride Growth by Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy
金属有机气相外延生长邻位 m (10-10) 氮化镓中的氧结合动力学
  • DOI:
    10.1002/pssr.202000142
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yosho Daichi;Shintaku Fumiya;Inatomi Yuya;Kangawa Yoshihiro;Iwata Jun-Ichi;Oshiyama Atsushi;Shiraishi Kenji;Tanaka Atsushi;Amano Hiroshi
  • 通讯作者:
    Amano Hiroshi
Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO
使用 MgO 通过 HVPE 生长掺镁 GaN 的气相反应的热力学分析
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/aba0d5
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kimura Tomoya;Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Araidai Masaaki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Kangawa Yoshihiro;Shiraishi Kenji
  • 通讯作者:
    Shiraishi Kenji
がん以外には結合させない治療用抗体の改造技術; in実験医学2019年11月号
不与癌症以外的任何物质结合的治疗性抗体的修饰技术,《实验医学》2019 年 11 月号
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaku Fumiya;Yosho Daichi;Kangawa Yoshihiro;Iwata Jun-Ichi;Oshiyama Atsushi;Shiraishi Kenji;Tanaka Atsushi;Amano Hiroshi;董 金華,上田 宏
  • 通讯作者:
    董 金華,上田 宏

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.author }}

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    2013
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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    23K23245
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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熔融金属中晶体生长过程的原子尺度表面和界面结构分析
  • 批准号:
    23H01850
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    2023
  • 资助金额:
    $ 3.08万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Realization of Bulk GaN Crystal by Local Cooling Technique in the Na flux Method
Na助熔剂法中局部冷却技术实现块状GaN晶体
  • 批准号:
    22KJ2051
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    2023
  • 资助金额:
    $ 3.08万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
イヌ弁膜疾患に対する可溶性グアニル酸シクラーゼ刺激薬の新規適用に向けた基礎的研究
可溶性鸟苷酸环化酶刺激剂治疗犬瓣膜病新应用的基础研究
  • 批准号:
    23K14092
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

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