Self-formation of InGaN quantum dots on SiO2/Si substrates by nano-droplet growth
通过纳米液滴生长在 SiO2/Si 衬底上自形成 InGaN 量子点
基本信息
- 批准号：17K06342
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Molecular Beam Epitaxy
分子束外延
- DOI：10.1016/b978-0-12-387839-7.00007-5
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Batool Z
- 通讯作者：Batool Z
分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
通过分子束沉积在 SiOx/半导体基底上自形成 InAs 量子点 (2)
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：馬飼野彰宜;坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
- 通讯作者：坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films
SiOx 薄膜上高密度 InAs 量子点的分子束沉积
- DOI：10.7567/1347-4065/ab0def
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：A. Makaino;Y. Tanaka and K. Yamaguchi
- 通讯作者：Y. Tanaka and K. Yamaguchi
Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
分子束沉积增强 SiOx 薄膜上生长的 InAs 量子点的光致发光
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tanaka;K. Sasaki;A. Makaino and K. Yamaguchi
- 通讯作者：A. Makaino and K. Yamaguchi
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10.1016/j.seppur.2010.04.009 - 发表时间：
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- 影响因子：8.6
- 作者：
S. Nii;S. Okumura;T. Kinoshita;Yuzo Ishigaki;K. Nakano;Yamaguchi Koichi;S. Akita - 通讯作者：
S. Akita
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2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Tatsugi Sho;Miyashita Naoya;Sogabe Tomah;Yamaguchi Koichi - 通讯作者：
Yamaguchi Koichi
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10.1002/pssb.201700307 - 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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Yamaguchi Koichi
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- DOI：
10.7567/1347-4065/aae8ea - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Sugiyama Ryo;Tatsugi Sho;Sogabe Tomah;Yamaguchi Koichi - 通讯作者：
Yamaguchi Koichi
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