Electronic states of bismuth layered materials with black-phosphorus-like structure

类黑磷结构铋层状材料的电子态

基本信息

  • 批准号:
    17K05493
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態
Si(111)√3x√3-B表面生长的多层Bi(110)薄膜的电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    下川裕理;藤原翼;長瀬謙太郎;山崎詩郎;渡辺義夫;仲武昌史;間瀬一彦;高橋和敏;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者:
    平山博之
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長瀬謙太郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者:
    平山博之
Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化
Si(111)√3×√3-B衬底上低温沉积的超薄铋薄膜室温退火引起的结构变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長瀬謙太郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者:
    平山博之
低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態
低温沉积超薄Bi薄膜的结构和电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長瀬謙太郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者:
    平山博之
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate
Si(111)√3×√3-B衬底上生长的Bi(110)超薄膜的电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Nakatsuji;Y. Shimokawa;T. Fujiwara;K. Nagase;S. Yamazaki;Y. Watanabe;K. Mase;K. Takahashi and H. Hirayama
  • 通讯作者:
    K. Takahashi and H. Hirayama
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固体表面電子におけるスピン軌道エンタングルメントと光スピン制御
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ienaga Koichiro;Iimori Takushi;Yaji Koichiro;Miyamachi Toshio;Nakashima Shuhei;Takahashi Yukio;Fukuma Kohei;Hayashi Shingo;Kajiwara Takashi;Visikovskiy Anton;Mase Kazuhiko;Nakatsuji Kan;Tanaka Satoru;Komori Fumio;矢治光一郎,黒田健太,小森文夫,辛埴
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ogino Takahiro;Seo Insung;Tajiri Hiroo;Nakatake Masashi;Takakura Sho-ichi;Sato Yudai;Hasegawa Yukio;Gohda Yoshihiro;Nakatsuji Kan;Hirayama Hiroyuki;佐藤優大
  • 通讯作者:
    佐藤優大
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ogino Takahiro;Seo Insung;Tajiri Hiroo;Nakatake Masashi;Takakura Sho-ichi;Sato Yudai;Hasegawa Yukio;Gohda Yoshihiro;Nakatsuji Kan;Hirayama Hiroyuki;佐藤優大;佐藤優大
  • 通讯作者:
    佐藤優大
Surface electronic states of Au-induced nanowires on Ge(001)
Ge(001) 上 Au 诱导纳米线的表面电子态
  • DOI:
    10.1088/1361-648x/aaa526
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yaji Koichiro;Yukawa Ryu;Kim Sunghun;Ohtsubo Yoshiyuki;Le Fevre Patrick;Bertran Francois;Taleb-Ibrahimi Amina;Matsuda Iwao;Nakatsuji Kan;Shin Shik;Komori Fumio
  • 通讯作者:
    Komori Fumio
Superconductivity in a two monolayer thick indium film on Si(111)√3×√3-B
Si(111)√3×√3-B 上两层单层厚铟膜的超导性
  • DOI:
    10.1103/physrevb.106.045423
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Ogino Takahiro;Seo Insung;Tajiri Hiroo;Nakatake Masashi;Takakura Sho-ichi;Sato Yudai;Hasegawa Yukio;Gohda Yoshihiro;Nakatsuji Kan;Hirayama Hiroyuki
  • 通讯作者:
    Hirayama Hiroyuki

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    $ 2.91万
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