Development of the Basic technology to fabricate new wide-bandgap hetero pn junction based on all oxide

基于全氧化物的新型宽带隙异质pn结基础技术开发

基本信息

  • 批准号:
    17K05042
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性
NiO/β-Ga2O3异质结光电二极管的紫外检测特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Muhamad Nasruddin Manaf;Susumu Minami;Fumiyuki Ishii and Mineo Saito;倉内太道,青木将晃,伊藤清一,檜垣浩之,岡本宏己;中込真二,佐々木光,目黒真也,國分義弘
  • 通讯作者:
    中込真二,佐々木光,目黒真也,國分義弘
β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性
β-Ga2O3 衬底上 NiO 薄膜的晶体取向
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Dilshadbek T. Usmanov;Satoshi Ninomiya;Kenzo Hiraoka;Hiroshi Wada;Hiroshi Nakano;Masaya Matsumura;Sachiyo Sanada-Morimura;and Hiroshi Nonami;青木将晃,伊藤清一,檜垣浩之,岡本宏己;中込真二,安田隆,國分義弘
  • 通讯作者:
    中込真二,安田隆,國分義弘
ゾル・ゲルディップ法によるNiO薄膜の作成
溶胶-凝胶浸渍法制备 NiO 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安田隆,後藤宗久,中込真二
  • 通讯作者:
    安田隆,後藤宗久,中込真二
(001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性
(001) β-Ga2O3 衬底上形成的 NiO 薄膜的晶体取向
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    二宮 啓;渡邊 諒;チェン リーチュイン;平岡 賢三;中込真二,安田隆,國分義弘
  • 通讯作者:
    中込真二,安田隆,國分義弘
Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates
单斜晶 β-Ga2O3 衬底上形成的立方 NiO 薄膜的晶体取向
  • DOI:
    10.1002/pssb.201900669
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shinji Nakagomi;Takashi Yasuda;Yoshihiro Kokubun
  • 通讯作者:
    Yoshihiro Kokubun
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NAKAGOMI Shinji其他文献

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