Development of the Basic technology to fabricate new wide-bandgap hetero pn junction based on all oxide
基于全氧化物的新型宽带隙异质pn结基础技术开发
基本信息
- 批准号:17K05042
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性
NiO/β-Ga2O3异质结光电二极管的紫外检测特性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Muhamad Nasruddin Manaf;Susumu Minami;Fumiyuki Ishii and Mineo Saito;倉内太道,青木将晃,伊藤清一,檜垣浩之,岡本宏己;中込真二,佐々木光,目黒真也,國分義弘
- 通讯作者:中込真二,佐々木光,目黒真也,國分義弘
β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性
β-Ga2O3 衬底上 NiO 薄膜的晶体取向
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Dilshadbek T. Usmanov;Satoshi Ninomiya;Kenzo Hiraoka;Hiroshi Wada;Hiroshi Nakano;Masaya Matsumura;Sachiyo Sanada-Morimura;and Hiroshi Nonami;青木将晃,伊藤清一,檜垣浩之,岡本宏己;中込真二,安田隆,國分義弘
- 通讯作者:中込真二,安田隆,國分義弘
(001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性
(001) β-Ga2O3 衬底上形成的 NiO 薄膜的晶体取向
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:二宮 啓;渡邊 諒;チェン リーチュイン;平岡 賢三;中込真二,安田隆,國分義弘
- 通讯作者:中込真二,安田隆,國分義弘
Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates
单斜晶 β-Ga2O3 衬底上形成的立方 NiO 薄膜的晶体取向
- DOI:10.1002/pssb.201900669
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shinji Nakagomi;Takashi Yasuda;Yoshihiro Kokubun
- 通讯作者:Yoshihiro Kokubun
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NAKAGOMI Shinji其他文献
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