Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane

非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响

基本信息

批准号：
17K05049
负责人：
Yukari Ishikawa
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05049/
关键词：
4H-SiC 非極性面転位 CL 積層欠陥 M面基底面転位部分転位 GaN EBIC TEM 拡張結晶工学半導体

项目摘要

项目成果

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Observation and classification of defects in gallium oxide

氧化镓缺陷的观察和分类

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yao;Yongzhao
通讯作者：
Yongzhao

Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy

通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错

DOI：
10.35848/1347-4065/ab7dda
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
通讯作者：
Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa

Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation

电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Masaki Sudo;Yukari Ishikawa;Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara;and Masashi Kato
通讯作者：
and Masashi Kato

HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造

HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
石川由加里;菅原義弘;横江大作;姚永昭
通讯作者：
姚永昭

4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動

电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
石川由加里，須藤正喜，菅原義弘，姚永昭，加藤正史;三好実人;江川孝志;石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
通讯作者：
石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史

DOI：
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作者：
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Yukari Ishikawa其他文献

Linear relationship between dislocation pattern size induced by Vickers indentation and imprint width on (0001) GaN

维氏压痕引起的位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度之间的线性关系

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yukari Ishikawa;Yoshihiro Sugawara;Yongzhao Yao;Syusui Ogawa;Daisaku yokoe; Hidetoshi Takeda;Hideo Aida;Kazuyuki Tadatomo
通讯作者：
Kazuyuki Tadatomo

深絞り加工におけるブランク形状と分割可変ブランクホルダー力の同時最適化

拉深加工中毛坯形状与分变压边力的同步优化

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
日本機械学会論文集
影响因子：
0
作者：
Yukari Ishikawa;Yong-Zhao Yao;Yoshihiro Sugawara;Koji Sato;Yoshihiro Okamoto,Noritaka Hayashi;Benjamin Dierre;Kentaro Watanabe;and Takashi Sekiguchi;河本基一郎，宮坂卓嗣，山道顕，野田拓也，北山哲士，小山浩季，山崎光悦
通讯作者：
河本基一郎，宮坂卓嗣，山道顕，野田拓也，北山哲士，小山浩季，山崎光悦

Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods

使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 P-N 二极管漏电的根源

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shigeyoshi Usami;Yoshihiro Sugawara;Yong-Zhao Yao;Yukari Ishikawa;Norihito Mayama;Kazuya Toda;Yuto Ando;Atsushi Tanaka;Kentaro Nagamatsu;Manato Deki;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
通讯作者：
Hiroshi Amano

Use of Cement Kilns for Managing Hazardous Waste in Developing Countries

发展中国家使用水泥窑管理危险废物

DOI：
10.1007/978-1-4471-2306-4_6
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yukari Ishikawa;S. Herat
通讯作者：
S. Herat

Impact of presarcopenic dysphagia on 1-year mortality after video�uoroscopic swallowing study in patients with cancer

癌症患者电视荧光吞咽研究后肌少症前吞咽困难对 1 年死亡率的影响

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takashi Mori;H. Wakabayashi;Ichiro Fujishima;Risa Narabu;Akio Shimizu;F. Oshima;M. Itoda;Sumito Ogawa;T. Ohno;M. Yamada;K. Kunieda;T. Shigematsu;N. Ogawa;S. Nishioka;K. Fukuma;Yukari Ishikawa;Yuto Saito
通讯作者：
Yuto Saito