Study on acceptor level and thermal stability of Si-doped p-type GaAsSb
Si掺杂p型GaAsSb的受主能级及热稳定性研究
基本信息
- 批准号：17K05046
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価
GaAsSb 晶体中 Si 受主水平的评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：杉田 有哉;田中 滉士;和泉 志男;横山 春喜
- 通讯作者：横山 春喜
Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定
Si掺杂p型GaAsSb层的霍尔效应测量
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：杉田 有哉;田中 滉士;和泉 志男;横山 春喜;鈴木裕史,水戸部大地;和泉志男，横山春喜，杉田有哉
- 通讯作者：和泉志男，横山春喜，杉田有哉
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Kusumoto Shinji
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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