Multi-bit polarization bistable optical memory operating in the optical fiber transmission wavelength range

工作在光纤传输波长范围内的多位偏振双稳态光存储器

• 批准号: 21360034
• 负责人: KAWAGUCHI Hitoshi
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360034/
• 关键词: 先端機能デバイス; フォトニックネットワーク; 全光型フリップ・フロップ; 偏光双安定; 面発光半導体レーザ; 全光型バッファメモリ; 光RAM; 光双安定モジュール; 応用光学・量子光工学

The fastest known operation of all-optical flip-flop memory was experimentally demonstrated using a 980-nm polarization bistable vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL). All-optical flip-flop operation was achieved at a record low bias current of 0. 85 mA using a VCSEL with an oxidation confinement structure. The memory operation was also achieved for 12. 5 Gb/s RZ signals in the 1. 55μm wavelength range. 1. 55μm pigtailed modules of the optical memory were successfully constructed.

使用 980 nm 偏振双稳态垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 实验证明了已知最快的全光学触发器存储器操作，并在创纪录的低偏置电流 0 下实现了全光学触发器操作。 . 85 mA 使用具有氧化限制结构的 VCSEL 还实现了 1. 5 Gb/s RZ 信号的存储操作。 55μm波长范围 1、成功构建55μm光纤存储器尾纤模块。

项目成果

偏光双安定VCSELと光バッファメモリへの応用

应用于偏振双稳态VCSEL和光学缓冲存储器

• 发表时间: 2009
• 作者: 河口仁司

All-optical flip-flop operation of polarization bistable VCSELs with an oxide confinement structure

具有氧化物限制结构的偏振双稳态 VCSEL 的全光触发器操作

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Katayama; A.Yanai; K.Yukawa; S.Hattori; K.Ikeda; S.Koh; H.Kawaguchi
• 通讯作者: H.Kawaguchi

酸化狭窄偏光双安定VCSELを用いた全光フリップ・プロップのサブmA動作

使用氧化收缩偏振双稳态 VCSEL 实现全光学翻转支柱的亚毫安操作

• 发表时间: 2011
• 作者: 片山健夫;河口仁司
• 通讯作者: 河口仁司

酸化狭窄構造を持つ偏光双安定VCSELの全光フリップ・プロップ動作

具有氧化物限制结构的偏振双稳态 VCSEL 的全光翻转操作

• 发表时间: 2011
• 作者: 片山健夫;矢内彰雄;湯川浩平;服部聡史;池田和浩;黄晋二;河口仁司
• 通讯作者: 河口仁司

1. 55μm帯偏光双安定VCSELを用いた12. 5 Gb/s RZ信号の全光型メモリ動作

1. 使用 55 μm 偏振双稳态 VCSEL 进行 12.5 Gb/s RZ 信号的全光存储操作

• 发表时间: 2010
• 作者: 片山健夫;尾藤直樹;河口仁司
• 通讯作者: 河口仁司