Exploration of breakthrough in terahertz-device performance by understanding the radiation mechanism from view point of electron travelling and transition

从电子行进和跃迁的角度理解辐射机制，探索太赫兹器件性能的突破

基本信息

  • 批准号：
    16H06292
  • 负责人：
    Asada Masahiro
  • 金额：
    $ 344.2万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-26 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2
  • DOI：
    10.1109/tnano.2017.2661403
  • 发表时间：
    2017-07-01
  • 期刊：
    IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY
  • 影响因子：
    2.4
  • 作者：
    Kanazawa, Toru;Amemiya, Tomohiro;Miyamoto, Yasuyuki
  • 通讯作者：
    Miyamoto, Yasuyuki
A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-gate MOSFETs
一种确定InGaAs三栅MOSFET中特定沟道表面陷阱分布的方法
  • DOI：
    10.1109/jeds.2018.2806487
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEEE Journal of the Electron Devices Society
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Netsu Seiko;Hellenbrand Markus;Zota Cezar B.;Miyamoto Yasuyuki;Lind Erik
  • 通讯作者：
    Lind Erik
Vacuum Annealing and Passivation of HfS<sub>2</sub> FET for Mitigation of Atmospheric Degradation
HfS<sub>2</sub> FET 的真空退火和钝化缓解大气退化
  • DOI：
    10.1587/transele.e100.c.453
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    UPADHYAYA Vikrant;KANAZAWA Toru;MIYAMOTO Yasuyuki
  • 通讯作者：
    MIYAMOTO Yasuyuki
Nonlinear optical detection of terahertz-wave radiation from resonant tunneling diodes
谐振隧道二极管太赫兹波辐射的非线性光学检测
  • DOI：
    10.1364/oe.25.005389
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    OPTICS EXPRESS
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Y. Takida;K. Nawata;S. Suzuki;M. Asada;and H. Minamide
  • 通讯作者：
    and H. Minamide
Source and Drain Concentration Dependence on Double Gate GaAsSb/InGaAs Tunnel FET
双栅极 GaAsSb/InGaAs 隧道 FET 的源极和漏极浓度依赖性
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Fabrication of sub-micrometer 3D structures for terahertz oscillators by electron beam gray-tone lithography
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
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  • 通讯作者：
    在原拓司
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  • DOI：
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  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Bezhko Mikhail;Suzuki Safumi;Asada Masahiro
  • 通讯作者：
    Asada Masahiro
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Van Mai Ta;Suzuki Yusei;Yu Xiongbin;Suzuki Safumi;Asada Masahiro;川村悠馬
  • 通讯作者：
    川村悠馬

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  • 作者：
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