Silicene surrounded by oxide- Development using self-limitation of oxidation and oxidation-induced strain

被氧化物包围的硅烯——利用氧化自限制和氧化诱导应变进行开发

基本信息

  • 批准号:
    16H05969
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.06万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
O2 pressure dependence of initial oxidation kinetics on Ni(111) surfaces
Ni(111) 表面初始氧化动力学的 O2 压力依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Ogawa;R. Taga;T. Ozaki;A. Yoshigoe;and Y. Takakuwa
  • 通讯作者:
    and Y. Takakuwa
Detection of molecular oxygen adsorbate during room-temperature oxidation of Si(100)2×1 surface: In situ synchrotron radiation photoemission study
Si(100)2×1表面室温氧化过程中分子氧吸附物的检测:原位同步辐射光电子研究
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.100307
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    A. Yoshigoe;Y. Yamada;R. Taga;S. Ogawa;Y. Takakuwa
  • 通讯作者:
    Y. Takakuwa
O2 Pressure Dependence of SiO2/Si Interfacial Oxidation Rate Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy
实时光电子能谱研究SiO2/Si界面氧化速率对O2压力的依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Ogawa;A. Yoshigoe;S. Ishidzuka;Y. Takakuwa
  • 通讯作者:
    Y. Takakuwa
O2 Pressure Dependence of Oxidation Rate on p- and n-Si(001) Surfaces
p- 和 n-Si(001) 表面氧化速率与 O2 压力的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Sekihata;S. Ogawa and Y. Takakuwa
  • 通讯作者:
    S. Ogawa and Y. Takakuwa
Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy
  • DOI:
    10.1063/1.5093430
  • 发表时间:
    2019-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    S. Ogawa;T. Yamada;Ryo Kadowaki;T. Taniguchi;T. Abukawa;Y. Takakuwa
  • 通讯作者:
    S. Ogawa;T. Yamada;Ryo Kadowaki;T. Taniguchi;T. Abukawa;Y. Takakuwa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Ogawa Shuichi其他文献

Oxygen Gas Barrier Property of Monolayer CVD Graphene
单层CVD石墨烯的氧气阻隔性能
  • DOI:
    10.5360/membrane.47.92
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamada Takatoshi;Ogawa Shuichi
  • 通讯作者:
    Ogawa Shuichi
Roles of strain and carrier in silicon oxidation
应变和载流子在硅氧化中的作用
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ab82a9
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ogawa Shuichi;YOSHIGOE Akitaka;Tang Jiayi;Sekihata Yuki;Takakuwa Yuji
  • 通讯作者:
    Takakuwa Yuji
Flattening of copper surfaces with a low energy xenon-ion source generated by photoemission-assisted plasma
使用光电子辅助等离子体产生的低能氙离子源平整铜表面
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab3878
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ajia Saijian;Ogawa Shuichi;Kamata Nobuhisa;Takakuwa Yuji
  • 通讯作者:
    Takakuwa Yuji
Synthesis and characterization of potassium-doped multilayer graphene prepared by wet process using potassium hydroxide
氢氧化钾湿法制备钾掺杂多层石墨烯的合成与表征
  • DOI:
    10.1088/2632-959x/ac1454
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    Masuzawa Tomoaki;Okigawa Yuki;Ogawa Shuichi;Takakuwa Yuji;Hatakeyama Kazuto;Yamada Takatoshi
  • 通讯作者:
    Yamada Takatoshi
Two-step model for reduction reaction of ultrathin nickel oxide by hydrogen
超薄氧化镍氢还原反应的两步模型

Ogawa Shuichi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Ogawa Shuichi', 18)}}的其他基金

Development of ion-assisted surface diffusion polishing method to flatten diamond surfaces in atomic level
开发离子辅助表面扩散抛光方法以在原子水平上平整金刚石表面
  • 批准号:
    16K14124
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

Phonon and electron system with different dimensions formed by silicene manipulation and development of high performance thermoelectric thin film device
硅烯操控形成不同维度的声子和电子体系及高性能热电薄膜器件的开发
  • 批准号:
    23H00258
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Global structure search of two-dimensional materials based on evolutionary algorithms and gaussian process regression
基于进化算法和高斯过程回归的二维材料全局结构搜索
  • 批准号:
    21K03419
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
二次元IV族原子層の選択的元素置換による熱電変換用新ディラック材料の開発
通过二维 IV 族原子层中的选择性元素替代开发用于热电转换的新型狄拉克材料
  • 批准号:
    20J10412
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Silicene surrounded by oxide -quality improvement and its application to transistors
氧化物包围硅烯的质量改进及其在晶体管中的应用
  • 批准号:
    17KK0125
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
Material design of group-IV alloy monolayers using bond engineering concept
使用键合工程概念进行 IV 族合金单层材料设计
  • 批准号:
    17K05056
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了