Development of miniaturized electron sources for electron and imaging device with radiation tolerance of 10 MGy and temperature of 300 degrees in Celsius

开发用于电子和成像设备的小型电子源,耐辐射能力为10 MGy,温度为300摄氏度

基本信息

  • 批准号:
    16H04631
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
耐放射線微小真空例陰極撮像素子のガンマ線照射に対する耐久性
耐辐射微真空示例:阴极图像传感器对伽马射线照射的耐久性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    後藤康仁;辻 博司;長尾昌善;増澤智昭;根尾陽一郎;三村秀典;岡本 保;秋吉優史;佐藤信浩;高木郁二
  • 通讯作者:
    高木郁二
ミニマルファブを活用した微小電子源の作製
使用最小的晶圆厂制造微电子源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾昌善;村上勝久;辰巳憲之;クンプアンソマワン;原史朗;後藤康仁
  • 通讯作者:
    後藤康仁
ミニマルファブを利用したスピント型フィールドエミッタアレイの試作
使用最小的晶圆厂生产 Spindt 场发射器阵列的原型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾昌善;辰巳憲之;村上勝久;クンプアンソマワン;原史朗;後藤康仁
  • 通讯作者:
    後藤康仁
ボルケーノ構造ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイの電子放出特性とミニマルファブによる試作例
具有火山结构的双栅极 Spindt 场发射器阵列的电子发射特性以及使用最小晶圆厂的原型示例
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾昌善;村上勝久;クンプアンソマワン;原史朗
  • 通讯作者:
    原史朗
フィールドエミッタアレイとCdTe系光電変換膜を用いた小型撮像素子の耐放射線性能
采用场发射阵列和CdTe光电转换膜的小型图像传感器的耐辐射性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    後藤康仁;長尾昌善;増澤智昭;根尾陽一郎;三村秀典;岡本保;秋吉優史;佐藤信浩;高木郁二
  • 通讯作者:
    高木郁二
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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