Development of technical platform for estimation of muon-induced soft error rates in semiconductor devices
开发用于估计半导体器件中μ介子引起的软错误率的技术平台
基本信息
- 批准号：16H03906
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
DCミューオンビームを用いたSEU断面積測定
使用 DC μ 子束进行 SEU 横截面积测量
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：馬原 巧;渡辺幸信;真鍋征也;廖 望;橋本昌宜;齋藤岳志;新倉 潤;友野 大;佐藤 朗;二宮和彦
- 通讯作者：二宮和彦
Measurement and Mechanism Investigation of Negative and Positive Muon-Induced Upsets in 65-nm Bulk SRAMs
- DOI：10.1109/tns.2018.2825469
- 发表时间：2018-04
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Wang Liao;M. Hashimoto;S. Manabe;Y. Watanabe;Shin-ichiro Abe;K. Nakano;Hikaru Sato;T. Kin;Koji Hamada;M. Tampo;Y. Miyake
- 通讯作者：Wang Liao;M. Hashimoto;S. Manabe;Y. Watanabe;Shin-ichiro Abe;K. Nakano;Hikaru Sato;T. Kin;Koji Hamada;M. Tampo;Y. Miyake
65-nm SOTB SRAMにおける低エネルギー正負ミュオン誘起SEU断面積の測定
65 nm SOTB SRAM 中低能正负 μ 介子诱导 SEU 横截面的测量
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：真鍋 征也;渡辺 幸信;中野 敬太;佐藤 光流;金 政浩;廖 望;橋本 昌宜;濱田 幸司;反保 元伸;三宅 康博
- 通讯作者：三宅 康博
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Watanabe Yukinobu其他文献
Irradiation Test of 65-nm Bulk SRAMs With DC Muon Beam at RCNP-MuSIC Facility
在 RCNP-MuSIC 设施中使用 DC Mu 子束对 65 nm Bulk SRAM 进行辐照测试
- DOI：
10.1109/tns.2020.2972022 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Mahara Takumi;Manabe Seiya;Watanabe Yukinobu;Liao Wang;Hashimoto Masanori;Saito Takeshi Y.;Niikura Megumi;Ninomiya Kazuhiko;Tomono Dai;Sato Akira - 通讯作者：
Sato Akira
Isotope production in proton-, deuteron-, and carbon-induced reactions on Nb93 at 113 MeV/nucleon
Nb93 上 113 MeV/核子的质子、氘核和碳诱导反应中的同位素产生
- DOI：
10.1103/physrevc.100.044605 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：
Nakano Keita;Watanabe Yukinobu;Kawase Shoichiro;Kondo Yosuke et al. - 通讯作者：
Kondo Yosuke et al.
Impact of the Angle of Incidence on Negative Muon-Induced SEU Cross Sections of 65-nm Bulk and FDSOI SRAMs
入射角对 65 nm Bulk 和 FDSOI SRAM 的负 μ 子诱导 SEU 横截面的影响
- DOI：
10.1109/tns.2020.2976125 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Liao Wang;Hashimoto Masanori;Manabe Seiya;Watanabe Yukinobu;Abe Shin-ichiro;Tampo Motonobu;Takeshita Soshi;Miyake Yasuhiro - 通讯作者：
Miyake Yasuhiro
Spectroscopic approach to Galactic Archaeology with Subaru
与斯巴鲁一起进行银河考古学的光谱方法
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nakano Keita;Watanabe Yukinobu;Kawase Shoichiro;Kondo Yosuke et al.;Wako Aoki - 通讯作者：
Wako Aoki
Watanabe Yukinobu的其他文献
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{{ truncateString('Watanabe Yukinobu', 18)}}的其他基金
Development of an evaluation method of space radiation effects on semiconductor devices using laser acceleration charged-particles
开发利用激光加速带电粒子评估半导体器件空间辐射效应的方法
- 批准号：
15K13410 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
大きな表面分極を持つトポロジカル半金属の半導体デバイスへの応用
大表面极化拓扑半金属在半导体器件中的应用
- 批准号：
24K01353 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機半導体薄膜における縦方向移動度の向上と縦型デバイスの高性能化
提高有机半导体薄膜的垂直迁移率，提高垂直器件的性能
- 批准号：
23K23206 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明
阐明锗和有机金属氧化反应以改善半导体器件性能
- 批准号：
24K07586 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)