An realistic improvement of reactor design to enhance ammonia decomposition rate for high quality high In content InGaN MOVPE growth

对反应器设计进行实际改进，以提高氨分解速率，实现高质量高 In 含量 InGaN MOVPE 生长

基本信息

批准号：
16K06260
负责人：
Nitta Shugo
金额：
$ 3万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry

通过高分辨率质谱对氮化物半导体金属有机气相外延进行在线 NH3 反应物分析

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Nitta;K. Nagamatsu;R. Miyagoshi;Z. Ye;H. Nagao; S. Miki;H. Y. Honda and H. Amano
通讯作者：
H. Y. Honda and H. Amano

The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

晶圆周围环境温度对有机金属气相外延生长InGaN的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhibin Liu;Shugo Nitta;Shigeyoshi Usami;Kentaro Nagamatsu;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

GaN衬底的取向差角对金属有机气相外延生长高铟含量InGaN的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhibin Liu;Shugo Nitta;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028
发表时间：
2019-02-15
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
Liu, Zhibin;Nitta, Shugo;Amano, Hiroshi
通讯作者：
Amano, Hiroshi

In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices

用于先进光学和电力电子器件的氮化物半导体晶体的原位和异位光学表征

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhibin Liu;Shugo Nitta;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;and Hiroshi Amano;Zhibin Liu;Shugo Nitta;Zhibin Liu;Zhibin Liu;Shugo Nitta
通讯作者：
Shugo Nitta

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nitta Shugo其他文献

指数定理を用いた超伝導近接効果の研究

利用指数定理研究超导邻近效应

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumabe Takeru;Watanabe Hirotaka;Ando Yuto;Tanaka Atsushi;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;池谷　聡
通讯作者：
池谷　聡

“Regrowth-free” fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration

“无再生”制造具有 N-p-n 配置的高电流增益 AlGaN/GaN 异质结双极晶体管

DOI：
10.35848/1882-0786/ac6197
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Kumabe Takeru;Watanabe Hirotaka;Ando Yuto;Tanaka Atsushi;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO

使用 MgO 通过 HVPE 生长掺镁 GaN 的气相反应的热力学分析

DOI：
10.35848/1347-4065/aba0d5
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kimura Tomoya;Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Araidai Masaaki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Kangawa Yoshihiro;Shiraishi Kenji
通讯作者：
Shiraishi Kenji

Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

蓝宝石衬底上有机金属气相外延生长六方氮化硼薄膜的界面非晶化

DOI：
10.7567/apex.11.051002
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Yang Xu;Nitta Shugo;Pristovsek Markus;Liu Yuhuai;Nagamatsu Kentaro;Kushimoto Maki;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

高温下将镨注入氮化镓的光致发光特性

DOI：
10.1016/j.nimb.2020.06.007
发表时间：
2020
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
影响因子：
0
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nishimura Tomoaki;Okada Hiroshi;Watanabe Hirotaka;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi