Crystallization of Silicon Thin Films by Microwave Rapid Heating

微波快速加热硅薄膜结晶

基本信息

  • 批准号:
    16K06255
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Crystallization of Silicon Thin Films By Microwave-Induced Rapid Heating
微波诱导快速加热硅薄膜的结晶
Crystallization and activation of silicon by microwave rapid annealing
  • DOI:
    10.1007/s00339-016-0220-7
  • 发表时间:
    2016-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Kimura;Kosuke Ota;M. Hasumi;Ayuta Suzuki;M. Ushijima;T. Sameshima
  • 通讯作者:
    S. Kimura;Kosuke Ota;M. Hasumi;Ayuta Suzuki;M. Ushijima;T. Sameshima
Heat treatment in liquid water at 80oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor
80℃液态水中热处理改善金属氧化物半导体电容器界面特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshito Hirokawa;Masahiko Hasumi;Toshiyuki Sameshima;Tomohisa Mizuno
  • 通讯作者:
    Tomohisa Mizuno
Heating equipment with carbon heating used to activate silicon and fabricate its solar cells
用于激活硅并制造太阳能电池的碳加热加热设备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toshitaka Kikuchi;Takashi Sugawara;Takuma Uehara;Tomoyoshi Miyazaki;Go Kobayashi;Masahiko Hasumi;Toshiyuki Sameshima
  • 通讯作者:
    Toshiyuki Sameshima
Microwave Rapid Heating Used for Diffusing Impurities in Silicon
微波快速加热用于扩散硅中的杂质
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Ota;S. Kimura;M. Hasumi;A. Suzuki;M. Ushijima;T. Sameshima
  • 通讯作者:
    T. Sameshima
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Hasumi Masahiko其他文献

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