Optical property improvement of the semipolar GaN on Si by the reduction of stacking faults or point defects.

通过减少堆垛层错或点缺陷来改善 Si 上半极性 GaN 的光学性能。

• 批准号: 20760012
• 负责人: HONDA Yoshio
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760012/
• 关键词: GaN; InGaN; 半極性; Si基板; 光学特性; 誘導放出; 選択成長; 半極性・非極性; MOVPE

We made semi-polar GaN on etched Si substrate by selective MOVPE method. In the case of (11-22)GaN, we succeeded the high quality GaN of which dislocation density is less than 10^5/cm^2. In the case of (1-101)GaN, since the dislocation was vended at the initial growth, it did not propagate to the surface of the GaN crystal. As a result, we also achieved the dislocation density of less than10^5/cm^2on this face. We tested the optical property of high quality semi-polar (1-101)GaN. We grew InGaN/GaN MQW structure and excited by pulse laser from top side. The optical detector was set at the side edge and we could get stimulated emission. This is the first result in the world, therefore, it prove that we could get high quality semi-polar GaN crystal.

我们通过选择性MOVPE方法在蚀刻的Si衬底上制备了半极性GaN。以(11-22)GaN为例，我们成功获得了位错密度小于10^5/cm^2的高质量GaN。在(1-101)GaN的情况下，由于位错在初始生长时被消除，因此它不会传播到GaN晶体的表面。结果，我们在这个面上也实现了小于10^5/cm^2的位错密度。我们测试了高质量半极性(1-101)GaN的光学性能。我们生长了 InGaN/GaN MQW 结构，并由顶部脉冲激光激发。光学探测器设置在侧边，可以得到受激发射。这是国际上的首次成果，证明我们可以获得高质量的半极性GaN晶体。

项目成果

GaN/InGaN hetero growth on(1-101)and (11-22)GaN on Si substrate

Si 衬底上 (1-101) 和 (11-22)GaN 上的 GaN/InGaN 异质生长

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Honda; T.Tanikawa; B.J.Kim; M.Yamaguchi; N.Sawaki
• 通讯作者: N.Sawaki

半極性面GaNストライプ上InGaN/GaN MQWのMOVPE選択成長(II)

在半极性 GaN 条带上 MOVPE 选择性生长 InGaN/GaN MQW (II)

• 发表时间: 2010
• 作者: 谷川智之; 本田善央; 山口雅史; 天野浩
• 通讯作者: 天野浩

Si基板上半極性面GaNへのInGaNヘテロ成長

Si 衬底上半极性面 GaN 上的 InGaN 异质生长

• 发表时间: 2009
• 作者: 本田善央

加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み

加工后的 Si 衬底上的 GaN (1-101) 中的杂质掺入

• 发表时间: 2010
• 作者: 山下康平; 谷川智之; 本田善央; 山口雅史; 天野浩
• 通讯作者: 天野浩

選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減

使用选择性 MOVPE 方法减少 Si 衬底上 (11-22)GaN 的位错

• 发表时间: 2009
• 作者: 村瀬輔; 谷川智之; 本田善央; 山口雅史; 澤木宣彦
• 通讯作者: 澤木宣彦