Study for the optical gain and the lasing characteristics of high-Q nanocavity-based silicon Raman laser

高Q值纳米腔硅拉曼激光器的光学增益和激光特性研究

基本信息

  • 批准号：
    15H05428
  • 负责人：
    Takahashi Yasushi
  • 金额：
    $ 15.72万
  • 依托单位：
    Osaka Prefecture University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Photonic crystal nanocavity with a Q factor exceeding eleven million
  • DOI：
    10.1364/oe.25.001769
  • 发表时间：
    2017-02-06
  • 期刊：
    OPTICS EXPRESS
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Asano, Takashi;Ochi, Yoshiaki;Noda, Susumu
  • 通讯作者：
    Noda, Susumu
【ポスターアワード受賞】ナノ共振器シリコンラマンレーザの励起波長依存性
[海报奖获得者] 纳米腔硅拉曼激光器的激发波长依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    山下 大喜;高橋 和;浅野 卓;野田 進
  • 通讯作者：
    野田 進
Super-luminescent-diode excitation of photnic crystal devices
光子晶体器件的超发光二极管激发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R.Shiozaki;and Y.Takahashi
  • 通讯作者：
    and Y.Takahashi
High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer
在具有 45 度旋转顶部硅层的 (100) SOI 基板上制造的基于高 Q 纳米腔的拉曼激光器
位置選択的ウェットエッチングによる多段SOI基板の作製－インクジェットマスクパターンの導入－
位置选择湿法刻蚀多级SOI衬底的制作-喷墨掩模图案介绍-
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    桑原 充輝;田中 捺美;高橋 和
  • 通讯作者：
    高橋 和
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  • DOI：
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  • 作者：
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Takahashi Yasushi其他文献

マイナス金利モデルについて―金利デリバティブの視点から―
关于负利率模型——从利率衍生品的角度——
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    オペレーションズ・リサーチ
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahashi Yasushi;Kudo Momonari;Fukasaku Ryoya;Ikematsu Yasuhiko;Yasuda Masaya;Yokoyama Kazuhiro;竹原浩太
  • 通讯作者：
    竹原浩太
Utilizing Broadband Light From a Superluminescent Diode for Excitation of Photonic Crystal High-Q Nanocavities
利用超辐射二极管发出的宽带光激发光子晶体高 Q 纳米腔
  • DOI：
    10.1109/jlt.2019.2907736
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Journal of Lightwave Technology
  • 影响因子：
    4.7
  • 作者：
    Shiozaki Risa;Itoh Takahiro;Takahashi Yasushi
  • 通讯作者：
    Takahashi Yasushi
誘電体上の熱励起エバネッセント波の観測
介电材料上热激发倏逝波的观察
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ashida Kohei;Okano Makoto;Ohtsuka Minoru;Seki Miyoshi;Yokoyama Nobuyuki;Koshino Keiji;Mori Masahiko;Asano Takashi;Noda Susumu;Takahashi Yasushi;梶原優介，横山貴文，金鮮美，林冠廷
  • 通讯作者：
    梶原優介，横山貴文，金鮮美，林冠廷
パッシブ型THz近接場顕微鏡による誘電体エバネッセント波の検出と評価
使用无源太赫兹近场显微镜检测和评估介电倏逝波
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Asano Takashi;Takahashi Yasushi;Noda Susumu;横山貴文，林冠廷，金鮮美，梶原優介
  • 通讯作者：
    横山貴文，林冠廷，金鮮美，梶原優介
Strongly asymmetric wavelength dependence of optical gain in nanocavity-based Raman silicon lasers
基于纳米腔的拉曼硅激光器中光学增益的强烈不对称波长依赖性
  • DOI：
    10.1364/optica.5.001256
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Optica
  • 影响因子：
    10.4
  • 作者：
    Yamashita Daiki;Asano Takashi;noda Susumu;Takahashi Yasushi
  • 通讯作者：
    Takahashi Yasushi

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  • DOI：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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    2018
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Integration of silicon photonic devices operating various wavelength bands
集成运行各种波长带的硅光子器件
  • 批准号：
    15K13326
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

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    2022
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Elucidation of internal absorption loss for high-Q silicon nanocavities and the development of novel functional optical devices
阐明高Q硅纳米腔的内部吸收损耗和新型功能光学器件的开发
  • 批准号：
    21H01373
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号：
    18H01479
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
シリコンカーバイドを用いたフォトニック結晶共振器の高性能化とその応用
利用碳化硅提高光子晶体谐振器的性能及其应用
  • 批准号：
    16J07917
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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