Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide

使用碳化硅开发极端环境电阻式CCD

基本信息

批准号：
15H03967
负责人：
HIJIKATA Yasuto
金额：
$ 10.57万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model

DOI：
10.1016/j.diamond.2019.01.012
发表时间：
2019-02-01
期刊：
DIAMOND AND RELATED MATERIALS
影响因子：
4.1
作者：
Hijikata, Yasuto
通讯作者：
Hijikata, Yasuto

SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ

SiC半导体实现的室温电子驱动量子传感器

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Boussadi;A. Tallaire;M. Kasu;J. Barjon;J. Achard;土方泰斗，牧野高紘，佐藤真一郎，山崎雄一，大島武
通讯作者：
土方泰斗，牧野高紘，佐藤真一郎，山崎雄一，大島武

SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析

SiC中堆垛层错对单光子光源发射波长影响的理论分析

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
功刀遼太;志村昴亮;中川宣拓;渡邉孝信;古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
通讯作者：
古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎

重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

SiC-MOSFET重离子辐照感应收集电荷的产生过程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Nakano;K. Fujiyama;T. Yanai;M. Itakura;H. Fukunaga;高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武
通讯作者：
高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武

Various single photon sources observed in SiC pin diodes

在 SiC pin 二极管中观察到的各种单光子源

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Tsunemi;T. Honda;T. Makino;S. Onoda;S-I. Sato;Y. Hijikata;and T. Ohshima
通讯作者：
and T. Ohshima

DOI：
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Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors

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24560365
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资助金额：
$ 10.57万
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$ 10.57万
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资助金额：
$ 10.57万
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批准号：
2205692
财政年份：
2022
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
Standard Grant

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批准号：
22H03019
财政年份：
2022
资助金额：
$ 10.57万
项目类别：
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