Scaling theory of topological insulators

拓扑绝缘体的标度理论

基本信息

  • 批准号：
    15H03700
  • 负责人：
    Ohtsuki Tomi
  • 金额：
    $ 6.99万
  • 依托单位：
    Sophia University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Detecting topological and non-topological quantum phase transitions using neural network
使用神经网络检测拓扑和非拓扑量子相变
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    梶谷丈;遠藤秀晃;浅野卓也;三田昌明;東中隆二;松田達磨;青木勇二;志垣賢太;Shigeki Onoda;Tomi Ohtsuki
  • 通讯作者：
    Tomi Ohtsuki
乱れのある3次元トポロジカル物質における量子相転移
无序三维拓扑材料中的量子相变
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    固体物理
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kotaro Tanahashi;Shinichi Takayanagi;Tomomitsu Motohashi;Shu Tanaka;小林浩二，大槻東巳，井村健一郎
  • 通讯作者：
    小林浩二，大槻東巳，井村健一郎
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  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Unconventional scaling theory in disorder-driven quantum phase transition
无序驱动的量子相变中的非常规标度理论
  • DOI：
    10.1103/physrevb.98.020201
  • 发表时间：
    2018-03
  • 期刊：
    Physical Review B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Xunlong Luo;Tomi Ohtsuki;Ryuichi Shindou
  • 通讯作者：
    Ryuichi Shindou
Deep Learning the Quantum Phase Transitions in Random Electron Systems: Applications to Three Dimensions
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  • 发表时间：
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  • 通讯作者：
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  • 作者：
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