The plasmonic extraordinary transmission phenomenon of III-nitride semiconductors and application to UV emitting devices

III族氮化物半导体的等离子体异常传输现象及其在紫外发射器件中的应用

基本信息

  • 批准号：
    15H03556
  • 负责人：
    Hiramatsu Kazumasa
  • 金额：
    $ 11.23万
  • 依托单位：
    Mie University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

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项目成果

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专利数量（0）
Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates
沟槽图案非极性体 GaN 衬底上 GaN 的选择性区域生长
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    S. Okada;H. Iwai;H. Miyake;K. Hiramatsu
  • 通讯作者：
    K. Hiramatsu
ｒ面ｻﾌｧｲｱ上へのa面AlN成長におけるバッファ層成長温度依存性
r 面蓝宝石上 a 面 AlN 生长中缓冲层生长的温度依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    林家弘;三宅秀人;平松和政
  • 通讯作者：
    平松和政
Study of curvature during thermal annealing of AlN on sapphire
蓝宝石上 AlN 热退火过程中的曲率研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shunsuke Okada;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu
  • 通讯作者：
    Kazumasa Hiramatsu
Optimization of Growth Conditions for A-Plane AlN on R-Plane Sapphire
R 面蓝宝石上 A 面 AlN 生长条件的优化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kanta Tsumoto;Jin Tabata;C.-H. Lin,S. Suzuki,H. Miyake and K. Hiramatsu
  • 通讯作者：
    C.-H. Lin,S. Suzuki,H. Miyake and K. Hiramatsu
Detecion of high-refractive index media by a surface plasmon sensor using a one dimensional metal diffraction grating
使用一维金属衍射光栅的表面等离子体传感器检测高折射率介质
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S.Mito;A.Motogaito;H.Miyake and K.Hiramatsu
  • 通讯作者：
    H.Miyake and K.Hiramatsu
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