Conductance quantization in oxide thin films used for resistive switching memory and its application to multi-level data storage

用于阻变存储器的氧化物薄膜的电导量子化及其在多级数据存储中的应用

基本信息

批准号：
15K06435
负责人：
Tadashi Shiota
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

Y2O3添加ZrO2薄膜を用いた抵抗変化型メモリ素子における量子化伝導の発現

使用 Y2O3 掺杂 ZrO2 薄膜的电阻变化存储元件中量子化传导的表达

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
二ツ森皓史;白田稜;塩田忠;西山昭雄;篠崎和夫
通讯作者：
篠崎和夫

抵抗スイッチング現象を示すTa2O5薄膜の膜質が伝導度の量子化に及ぼす影響

具有电阻转换现象的Ta2O5薄膜的膜质对电导率量子化的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
久保朋也;南宏明;白田稜;塩田忠;西山昭雄;櫻井修;篠崎和夫
通讯作者：
篠崎和夫

酸化タンタル薄膜の微構造と抵抗スイッチング時に生じる伝導度の量子化の関係

氧化钽薄膜的微观结构与电阻切换过程中发生的电导率量子化之间的关系

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
塩田忠;久保朋也;西山昭雄;櫻井修;篠崎和夫
通讯作者：
篠崎和夫

Si微細加工によるPt-Pd/(Y2O3添加ZrO2単結晶薄膜)/Pt-Pd構造の作製とその抵抗スイッチング特性

Si微加工制备Pt-Pd/(Y2O3掺杂ZrO2单晶薄膜)/Pt-Pd结构及其电阻切换特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
二ツ森皓史;塩田忠;西岡國生;松谷晃宏;多田大;西山昭雄;篠崎和夫
通讯作者：
篠崎和夫

抵抗変化型メモリ用Ta2O5薄膜の微構造が量子化伝導の発現に及ぼす影響

阻变记忆Ta2O5薄膜微观结构对量子化传导表现的影响

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
久保朋也;白田稜;南宏明;塩田忠;西山昭雄;櫻井修;篠崎和夫
通讯作者：
篠崎和夫

DOI：
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作者：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
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Kazuto Nagahara;Taku Ebisawa;Tadashi Shiota;Naoki Wakiya; Jeffery S Cross;Osamu Sakurai and Kazuo Shinozaki
通讯作者：
Osamu Sakurai and Kazuo Shinozaki

Application of random walk theory to grain motion during superplastic deformation

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DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
Tadashi Shiota

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DOI：
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影响因子：
0
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通讯作者：
Kouichi Yasuda

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DOI：
发表时间：
2013
期刊：
バイオマテリアル－生体材料
影响因子：
0
作者：
Tadashi Shiota;Hiroki Ito;Naoki Wakiya;Jeffrey Cross;Osamu Sakurai;Kazuo Shinozaki;野村直之
通讯作者：
野村直之

酸化物単結晶基板上のPt薄膜成長に及ぼすステップエッジの影響

台阶边缘对氧化物单晶衬底上Pt薄膜生长的影响

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuto Nagahara;Taku Ebisawa;Tadashi Shiota;Naoki Wakiya; Jeffery S Cross;Osamu Sakurai and Kazuo Shinozaki;A. Nagai;井藤洋輝，塩田忠，櫻井修，篠崎和夫，脇谷尚樹
通讯作者：
井藤洋輝，塩田忠，櫻井修，篠崎和夫，脇谷尚樹