Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells
GaAs/Si单片太阳能电池新型III-VI族缓冲层的研究
基本信息
- 批准号：15K05998
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer
通过 In2Se3 缓冲层中范德华界面的新型外延 GaAs 剥离方法
- DOI：10.4229/eupvsec20172017-4cv.4.28
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima; Li Wang; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
SINGLE DOMAIN GROWTH OF LAYERED In2Se3 ON Si(111) AS AN INTERMEDIATE BUFFER LAYER IN GaAs ON Si
Si(111) 上层状 In2Se3 作为 Si 上 GaAs 中间缓冲层的单域生长
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima; Li Wang; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
Optical properties of layered (InxGa1-x)2Se3 buffer material deposited on GaAs(111) substrate for III-V/Silicon solar cell
用于 III-V/硅太阳能电池的 GaAs(111) 衬底上沉积的层状 (InxGa1-x)2Se3 缓冲材料的光学特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Li Wang;Hiroya Nakamura;Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
Layered (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) Compounds as Novel Buffer Layers for GaAs on Si System
层状 (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) 化合物作为 Si 系统上 GaAs 的新型缓冲层
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
Suppression of Twin Formation in Layered In2Se3 Grown on GaAs(111)
GaAs(111) 上生长的层状 In2Se3 孪晶形成的抑制
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nobuaki Kojima;Hiroya Nakamura;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
- 通讯作者：Masafumi Yamaguchi
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