Switching properties of resistive change memory with tiny limited space for conducting filament formation

细丝形成的微小有限空间的电阻变化存储器的开关特性

• 批准号: 15K04602
• 负责人: TAKASE Kouichi
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Nihon University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04602/
• 关键词: 抵抗変化メモリ; スイッチング電圧の再現性; 導電性フィラメント; ナノワイヤーによるフィラメント制御; フィラメント; スイッチング電圧; ナノワイヤー; フィラメント形成の抑制; フィラメント閉じ込め効果; 絶縁体ナノワイヤー作成; ナノワイヤーメモリ; スイッチング特性; 電解メッキ法; スイッチング電圧の再現性向上; フィラメントの空間制限; ナノワイヤメモリ; メッキ法; VLS法; スイッチング現象

项目成果

Resistive Change Memory using Oxide Nanowires

使用氧化物纳米线的电阻变化存储器

• 发表时间: 2017
• 作者: Kouichi Takase;Takashige Aono;Kosuke Sugawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara
• 通讯作者: Shoso Shingubara

Precisive Tuuing of Surface Plasmon Resonance Wavelength of Anisotropic Silver Nanoprisms by Removing Surface Protective Agent

去除表面保护剂对各向异性银纳米棱镜表面等离子体共振波长的精确调控

• 发表时间: 2016
• 作者: S. Igari;R. Miyasaka;S. Jun;K. Uchida;K. Sugawa;K. Takase and J. Otsuki
• 通讯作者: K. Takase and J. Otsuki

Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane

• DOI: 10.7567/jjap.55.06gh09
• 发表时间: 2016-05
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: K. Takase;Tomohiro Shimizu;Kosuke Sugawa;T. Aono;Y. Shirai;T. Nishida;S. Shingubara

I-V characteristics of nanowire based resistive change memory

基于纳米线的电阻变化存储器的 I-V 特性

• 发表时间: 2017
• 作者: Takashige Aono;Kouichi Takase;Kosuke Sugawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara
• 通讯作者: Shoso Shingubara

Switching behavior of resistive change memory using oxide nanowires

使用氧化物纳米线的电阻变化存储器的开关行为

• 发表时间: 2018
• 期刊: JJAP
• 作者: Takashige Aono;Kosuke Sugawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara;and Kouichi Takase
• 通讯作者: and Kouichi Takase