Development of IR-photo-detectors using silicide semiconductors

使用硅化物半导体开发红外光电探测器

• 批准号: 20360134
• 负责人: UDONO Haruhiko
• 金额: $ 12.31万
• 依托单位: Ibaraki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360134/
• 关键词: シリサイド半導体; 不純物添加; バルク結晶; 受光素子; 半導体シリサイド; 赤外受光素子; Mg_2Si; pn.接合; β-FeSi_2; ショットキー接合

Semiconducting silicides, such as s-FeSi_2 and Mg_2Si, are attractive materials for applications in near infrared (NIR) and infrared (IR) detectors because they have narrow band gap energy (<1eV) and high absorption coefficient. In addition, abundance of constituent elements and low-toxicity of those semiconducting silicides are considered as green semiconducting materials based on the strategy of substituting rare earths. In this paper, we report the development of NIR and IR detectors covered in the wavelength between 1.5-4um by using s-FeSi_2 and Mg_2M (M=Si, Ge, Sn) silicide semiconductors.

半导体硅化物，如s-FeSi_2和Mg_2Si，由于具有窄带隙能量（<1eV）和高吸收系数，是近红外（NIR）和红外（IR）探测器应用中有吸引力的材料。此外，这些半导体硅化物的组成元素丰富且毒性低，被认为是基于稀土替代策略的绿色半导体材料。在本文中，我们报道了利用s-FeSi_2和Mg_2M（M=Si、Ge、Sn）硅化物半导体开发了覆盖1.5-4um波长的近红外和红外探测器。

项目成果

Solution Growth and Thermoelectric Properties of Single-Phase MnSi_

单相MnSi_<1.75-x>的溶液生长和热电性能

• 发表时间: 2011
• 作者: H.Udono; K.Nakamori; Y.Takahashi; Y.Ujiie; I.J.Ohsugi; T.Iida
• 通讯作者: T.Iida

溶液から成長した単相Mn_Si_結晶の熱電特性

溶液生长单相Mn_<11>Si_<19>晶体的热电性能

• 发表时间: 2010
• 作者: 鵜殿治彦; 高橋良幸; 氏家裕介; 大杉功; 飯田努
• 通讯作者: 飯田努

Mg_2Siへのショットキー電極の作製

Mg_2Si肖特基电极的制作

• 发表时间: 2010
• 作者: 関野和幸; 御殿谷真; 鵜殿治彦; 山田洋一
• 通讯作者: 山田洋一

Crystal growth of large-sized Mn4Si7 from Solution

大尺寸 Mn4Si7 从溶液中晶体生长

• 发表时间: 2011
• 作者: Y.Ujiie; H.Udono; D.Ishida
• 通讯作者: D.Ishida

Si照射下でのβ-FeSi_2基板熱処理とホモエピタキシャル成長

β-FeSi_2衬底热处理及Si辐照下同质外延生长

• 发表时间: 2011
• 作者: 松村精大; 山中雄介; 鵜殿治彦; 山口憲司; 江坂文孝; 北条喜一
• 通讯作者: 北条喜一