Low Temperature and Non-Vacuum Bonding of Wide Bandgap Semiconductor Materials by VUV/Vapor-Assisted Method

VUV/蒸汽辅助法宽带隙半导体材料的低温非真空键合

基本信息

  • 批准号:
    26289112
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Vacuum Ultraviolet (VUV) and Vapor-Combined Surface Modification for Hybrid Bonding of SiC, GaN, and Si Substrates at Low Temperature
用于低温 SiC、GaN 和 Si 衬底混合键合的真空紫外线 (VUV) 和蒸汽组合表面改性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Shigetou;J. Mizuno;and S. Shoji
  • 通讯作者:
    and S. Shoji
生体親和性エレクトロニクス実装のための低温大気圧接合技術
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mariusz Bojarski;Dariusz Czarkowski;Francisco de Leon;Qijun Deng;Marian K. Kazimierczuk;and Hiroo Sekiya;重藤暁津,水野潤,庄子習一
  • 通讯作者:
    重藤暁津,水野潤,庄子習一
国立台湾大学(国立台湾大学-NIMS連携大学院)(台湾)
国立台湾大学(国立台湾大学-NIMS研究生院)(台湾)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Bonding technology in ambient air: For hybridization of electronic devices
环境空气中的粘合技术:用于电子设备的混合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Kasahara;Z. Ding;M. Nakano;J. Suehiro;重藤暁津
  • 通讯作者:
    重藤暁津
水和物架橋低温接合技術の開発
水合物交联低温键合技术的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    重藤暁津
  • 通讯作者:
    重藤暁津
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Jimba Yoji;Miyazaki Hiroshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.
  • 通讯作者:
    Miyazaki Hideki T.
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Watanabe Kazuhiro;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Arai Yukinaga;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.;今村陸,長島圭吾,藤井瞬,熊﨑基,田邉孝
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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